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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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9987GJ-VB一款N溝道TO251封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: 9987GJ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO251封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

VBsemi 9987GJ-VB MOSFET 參數(shù):
- 封裝:TO251
- 溝道類型:N—Channel
- 最大電壓:100V
- 最大電流:15A
- RDS(ON):115mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:1.41V

應(yīng)用簡介:
該 MOSFET 適用于中功率應(yīng)用,如電源開關(guān)、電機控制和功率逆變器。其N—Channel溝道類型使其在正電壓操作的電路中具有優(yōu)越性能。

使用領(lǐng)域模塊:
1. 電源開關(guān):作為正電壓電源開關(guān)元件,用于中功率電源系統(tǒng)。
2. 電機控制:在中功率電機控制系統(tǒng)中作為電流控制元件。
3. 功率逆變器:用于需要N—Channel MOSFET的功率逆變器電路。

作用:
1. 提供中功率應(yīng)用的高效能力。
2. 在電源開關(guān)和電機控制中實現(xiàn)正電壓操作。
3. 適用于需要N—Channel MOSFET的功率逆變器電路。

使用注意事項:
1. 請按照數(shù)據(jù)手冊提供的最大額定值操作,以避免損壞設(shè)備。
2. 在設(shè)計中考慮適當?shù)纳岽胧?,以確保器件在額定工作溫度下穩(wěn)定運行。
3. 避免超過最大額定電流和電壓,以防止設(shè)備過載。
4. 在使用過程中,注意靜電防護,避免損壞敏感元件。

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