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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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RSD200N10TL-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: RSD200N10TL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品型號:** RSD200N10TL-VB

**絲印:** VBE1104N

**品牌:** VBsemi

**參數(shù):**
- 封裝:TO252
- 溝道類型:N-Channel
- 額定電壓:100V
- 額定電流:40A
- 導通電阻:RDS(ON)=30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:Vth=1.8V

**應(yīng)用簡介:**
適用于多個領(lǐng)域模塊,具體作用包括:
1. **電源管理:** 作為N-Channel功率開關(guān),支持電源管理系統(tǒng),適用于各種電源模塊。
2. **電機控制:** 在電機驅(qū)動模塊中,通過高電流和低導通電阻,實現(xiàn)精確的電機控制。
3. **電流逆變器:** 用于構(gòu)建電流逆變電路,適用于多種電力應(yīng)用。

**使用注意事項:**
1. 請確保操作在額定電壓和電流范圍內(nèi),避免超過規(guī)定數(shù)值。
2. TO252封裝需要考慮適當?shù)纳岷筒季衷O(shè)計,以保持正常工作溫度。
3. 在設(shè)計中考慮閾值電壓Vth=1.8V,確保適當?shù)男盘栯娖健?br>4. 根據(jù)具體應(yīng)用場景采取適當?shù)谋Wo措施,以應(yīng)對潛在的過電流和過壓情況。

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