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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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FDB047N10-VB一款N溝道TO263封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號: FDB047N10-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO263封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品型號:** JCS4N80FH-VB

**絲印:** VBMB185R05

**品牌:** VBsemi

**參數(shù):**
- 封裝:TO220F
- 溝道類型:N-Channel
- 額定電壓:850V
- 額定電流:5A
- 導(dǎo)通電阻:RDS(ON)=2200mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:Vth=3.5V

**應(yīng)用簡介:**
適用于不同領(lǐng)域模塊,具體作用包括:
1. **高壓電源:** 在高壓電源模塊中,作為N-Channel功率開關(guān),支持高壓應(yīng)用。
2. **電源逆變器:** 用于構(gòu)建電源逆變電路,適用于需要高電壓和低電流的應(yīng)用。
3. **電力電子:** 在電力電子領(lǐng)域中,可用于各種電力控制和轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

**使用注意事項:**
1. 請確保操作在額定電壓和電流范圍內(nèi),避免超過規(guī)定數(shù)值。
2. TO220F封裝需要考慮適當(dāng)?shù)纳岷筒季衷O(shè)計,以維持正常工作溫度。
3. 在設(shè)計中考慮閾值電壓Vth=3.5V,確保適當(dāng)?shù)男盘栯娖健?br>4. 根據(jù)具體應(yīng)用場景選擇適當(dāng)?shù)谋Wo(hù)機制,以應(yīng)對潛在的過電流和過壓情況。

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