UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET
采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET基于獨特的共源共柵電路配置，具有出色的反向恢復功能。在共源共柵電路配置中，一個常開SiC JFET與一個Si MOSFET封裝在一起，形成一個常閉SiC FET器件。這些SiC FET具有低體二極管、低柵極電荷和4.8V閾值電壓，允許0V至15V的驅動。這些D2-PAK SiC FET器件有ESD保護，提供>6.1mm的封裝爬電和間隙距離。> 這些FET的標準柵極驅動特性可直接替代Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超級結。提供1200V和650V漏極-源極擊穿電壓版本，非常適合用于任何受控環(huán)境，如電信和服務器電源、工業(yè)電源、電機驅動和感應加熱。
 D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET 特性
D2PAK-3L@ 650V 30m?、40m?和80m?
D2PAK-7L@ 650V 80m?、1200V 80m?和150m?
85mΩ典型導通電阻RDS(on)
175°C最高工作溫度
140nC卓越的反向恢復能力（Qrr）
1.5VFSD（正向電壓）低體二極管
23nC低柵極電荷
4.8VG（th）閾值電壓
>6.1mm的封裝爬電和間隙距離
用于優(yōu)化開關性能的開爾文源極引腳
ESD防護
應用
電信和服務器電源
工業(yè)電源
功率因數(shù)校正模塊
電機驅動器
感應加熱