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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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DMG3415UFY4-7-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: DMG3415UFY4-7-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**DMG3415UFY4-7-VB**

- **絲印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
 - 封裝類型:SOT23
 - 溝道類型:P—Channel
 - 最大承受電壓:-30V
 - 最大漏極電流:-5.6A
 - 開態(tài)電阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓(Vth):-1V

- **應用簡介:**
 DMG3415UFY4-7-VB 是一款 P—Channel 溝道功率 MOSFET,封裝采用 SOT23。其特性包括較低的開態(tài)電阻和適用于負載開關和功率管理應用。

- **詳細參數(shù)說明:**
 1. **封裝類型(Package Type):** SOT23,這是一種小型表面貼裝封裝,適合密集的電路板設計。
 2. **溝道類型(Channel Type):** P—Channel,表示這是一款 P 溝道型 MOSFET。
 3. **最大承受電壓(Maximum Drain-Source Voltage):** -30V,這是該器件可承受的最大漏極電壓。
 4. **最大漏極電流(Maximum Drain Current):** -5.6A,表示最大可通過的漏極電流。
 5. **開態(tài)電阻(RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,表示在給定的柵源電壓下,開態(tài)電阻的最大值。
 6. **閾值電壓(Threshold Voltage):** -1V,是器件開始導通的柵源電壓。

- **應用領域:**
 1. **負載開關(Load Switching):** 由于其 P 溝道性質(zhì)和適中的電流容量,適用于負載開關電路,例如電源管理單元(PMU)。
 2. **功率管理模塊(Power Management Modules):** 用于構建功率管理模塊,如電源開關和電流控制器。

- **模塊應用舉例:**
 1. **電源開關模塊:** DMG3415UFY4-7-VB 可以用于設計緊湊型電源開關模塊,適用于各種便攜設備。
 2. **電源管理單元(PMU):** 在移動設備中,作為 PMU 的一部分,控制電源的開關,提供有效的功耗管理。

請注意,以上僅為對給定參數(shù)的一般解釋和應用建議,具體設計時需要進一步考慮電路需求和系統(tǒng)規(guī)格。

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