1.概述W25N01GV（1G位）串行SLC NAND閃存為空間、引腳和電源有限的系統(tǒng)提供了存儲解決方案。W25N SpiFlash系列融合了流行的SPI接口和傳統(tǒng)的大NAND非易失性存儲器空間。它們非常適合將代碼隱藏到RAM，直接從雙/四SPI（XIP）執(zhí)行代碼，并存儲語音、文本和數(shù)據(jù)。該設(shè)備在2.7V至3.6V的單一電源上運行，有源電流消耗低至25mA，備用電流消耗低達10μa。所有W25NSpiFlash系列設(shè)備都采用節(jié)省空間的封裝，這在過去是不可能用于典型的NAND閃存的。W25N01GV 1G位存儲器陣列被組織成65536個可編程頁，每個可編程頁2048字節(jié)。使用來自2048字節(jié)內(nèi)部緩沖器的數(shù)據(jù)，可以一次對整個頁面進行編程。頁面掃描以64為一組進行擦除（128KB塊擦除）。W25N01GV具有1024個可擦除塊。W25N01GV支持標準串行外設(shè)

2.特點? 新的W25N系列SpiFlash存儲器–W25N01GV:1G位/128M字節(jié)–標準SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold–雙SPI:CLK、/CS，IO0、IO1、/WP，/Hold–四SPI：CLK、/CS、IO0、IO 1、IO2、IO3–兼容SPI串行閃存命令? 最高性能串行NAND閃存–104MHz標準/雙/四SPI時鐘–208/416MHz等效雙/四SPI–50MB/S連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸速率–快速編程/擦除性能–超過100000次擦除/編程周期（4）–超過10年的數(shù)據(jù)保留期? 高效的“連續(xù)讀取模式”（1）–緩沖區(qū)讀取模式的替代方法–讀取命令之間無需發(fā)出“頁面數(shù)據(jù)讀取”–允許直接讀取整個內(nèi)存? 低功率、寬溫度范圍–單個2.7至3.6V電源–25mA有源，10μA備用電流–-40°C至+85°C工作范圍? 具有128KB塊的靈活架構(gòu)–統(tǒng)一的128K字節(jié)塊擦除–靈活的頁面數(shù)據(jù)加載方法? 高級功能–用于內(nèi)存陣列的片上1位ECC–ECC狀態(tài)位指示