1.概述W29N01HV（1G位）NAND閃存為空間、引腳和電源有限的嵌入式系統(tǒng)提供了一種存儲解決方案。它非常適合將代碼隱藏到RAM、固態(tài)應(yīng)用程序和存儲媒體數(shù)據(jù)，如語音、視頻、文本和照片。該設(shè)備在單個2.7V至3.6V電源上工作，CMOS待機電流的有效電流消耗低至25mA 10uA。存儲器陣列總計138412032個字節(jié)，并被組織成135168個字節(jié)的1024個可擦除塊。每個塊由64個可編程頁組成，每個可編程頁有2112個字節(jié)。每個頁面由2048個字節(jié)組成，用于主數(shù)據(jù)存儲區(qū)域，64個字節(jié)用于備用數(shù)據(jù)區(qū)域（備用區(qū)域通常用于錯誤管理功能）。W29N01HV支持使用多路復(fù)用8位總線傳輸數(shù)據(jù)、地址和命令指令的標準NAND閃存接口。CLE、ALE、#CE、#RE和#WE這五個控制信號處理總線接口協(xié)議。

2.特點? 基本功能–密度：1Gbit（單片解決方案）–Vcc:2.7V至3.6V–總線寬度：x8–工作溫度? 工業(yè)：-40°C至85°C? 單電平單元（SLC）技術(shù)。? 組織–密度：1G位/128M字節(jié)–頁面大小? 2112字節(jié)（2048+64字節(jié)）–塊大小? 64頁（128K+4K字節(jié)）? 最高性能–讀取性能（最大）? 隨機閱讀：25 us? 順序讀取周期：25ns–寫入擦除性能? 頁面程序時間：250us（典型值）? 塊擦除時間：2ms（典型）–耐久性100000擦除/編程周期（1）–10年數(shù)據(jù)保留? 命令集–標準NAND命令集–附加命令支持? 復(fù)制回? 最低功耗-讀?。?5mA（典型3V），編程/擦除：25mA，典型3V，CMOS待機：10uA（典型）? 空間高效包裝–48引腳標準TSOP1–48球VFBGA–63球VFBGA-Contact Winbond for stackedpackages/KGD