1.概述W9812G6KH是一種高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM），組織為2M個(gè)字? 4個(gè)銀行? 16位。W9812G6KH可提供高達(dá)每秒200M字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個(gè)人計(jì)算機(jī)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，W9812G6KH分為以下速度等級(jí)：-5、-5I、-5J、-6、-6I、-6J和-75。-5/-5I級(jí)零件符合200MHz/CL3規(guī)范（-5I工業(yè)級(jí)保證支持-40°C≤TA≤85°C，-5J工業(yè)級(jí)保證支持-40°C＜TA≤105°C）。-6/-6I級(jí)零件符合166MHz/CL3規(guī)范（保證支持-40°C≤TA≤85°C的-6I工業(yè)級(jí)零件，保證支持-40℃≤TA≤105°C的-6 J工業(yè)級(jí)零件）。-75級(jí)零件符合133MHz/CL3規(guī)范。對(duì)SDRAM的訪問(wèn)是面向突發(fā)的。當(dāng)ACTIVE命令選擇一個(gè)存儲(chǔ)體和行時(shí)，可以以1、2、4、8或整頁(yè)的突發(fā)長(zhǎng)度訪問(wèn)一頁(yè)中的連續(xù)存儲(chǔ)器位置。列地址由SDRAM內(nèi)部計(jì)數(shù)器在突發(fā)操作中自動(dòng)生成。通過(guò)在每個(gè)時(shí)鐘周期提供其地址，隨機(jī)列讀取也是可能的。多個(gè)銀行的性質(zhì)使得內(nèi)部銀行之間能夠交錯(cuò)，以隱藏預(yù)充電時(shí)間。通過(guò)具有可編程模式寄存器，系統(tǒng)可以改變突發(fā)長(zhǎng)度、延遲周期、交織或順序突發(fā)，以最大限度地提高其性能。W9812G6KH是高性能應(yīng)用程序中主存儲(chǔ)器的理想選擇。
 

2.特點(diǎn)? 3.3V±0.3V電源? 高達(dá)200 MHz的時(shí)鐘頻率? 2097152字? 4個(gè)銀行? 16位組織? 自刷新模式? CAS延遲：2和3? 突發(fā)長(zhǎng)度：1、2、4、8和整頁(yè)? 突發(fā)讀取、單次寫入模式? 字節(jié)數(shù)據(jù)由LDQM、UDQM控制? 斷電模式? 自動(dòng)預(yù)充電和受控預(yù)充電? 4K刷新周期/64 mS，@-40°C≤TA≤85°C? 4K刷新周期/16mS，@-40°C≤TA≤105°C? 接口：LVTTL? 封裝在TSOP II 54引腳，400密耳，使用無(wú)鉛材料，符合RoHS要求注：不支持TA>85°C的自刷新功能