1.概述W631GG6MB是1G位DDR3 SDRAM，組織為8388608個字? 8個銀行? 16位。該設(shè)備實現(xiàn)了高達(dá)2133 MT/s（DDR3-2133）的高速傳輸速率，適用于各種應(yīng)用。該設(shè)備分為以下速度等級：-09、-11、-12、-15、09I、11I、12I、15I、09J、11J、12J和15J。-09、09I和09J速度等級符合DDR3-2133（14-14-14）規(guī)范（09I工業(yè)等級保證支持-40°C≤TCASE≤95°C，09J工業(yè)+等級保證支持-40C≤TCASE≤105°C）。-11、11I和11J速度等級符合DDR3-1866（13-13-13）規(guī)范（11I工業(yè)等級保證支持-40°C≤TCASE≤95°C，11J工業(yè)+等級保證支持-40C≤TCASE≤105°C）。-12、12I和12J速度等級符合DDR3-1600（11-11-11）規(guī)范（12I工業(yè)等級保證支持-40°C≤TCASE≤95°C，12J工業(yè)+等級保證支持-40C≤TCASE≤105°C）。-15、15I和15J速度等級符合DDR3-1333（9-9-9）規(guī)范（15I工業(yè)等級保證支持-40°C≤TCASE≤95°C，15J工業(yè)+等級保證支持-40C≤TCASE≤105°C）。W631GG6MB的設(shè)計符合以下關(guān)鍵DDR3 SDRAM功能，如支持的CAS#、可編程的CAS#寫入延遲（CWL）、ZQ校準(zhǔn)、片上終止和同步重置。所有的控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入被鎖存在差分時鐘的交叉點（CK上升和CK#下降）。在源同步刷新中，所有I/O都與差分DQS-DQS#對同步。
2.特點? 電源：VDD，VDDQ=1.5V±0.075V? 雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)：每個時鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸? 八家內(nèi)部銀行同時運營? 8位預(yù)取架構(gòu)? CAS延遲：5、6、7、8、9、10、11、13和14? 突發(fā)長度8（BL8）和突發(fā)斬波4（BC4）模式：通過模式寄存器（MRS）固定或可選擇OnThe-Fly（OTF）? 可編程讀突發(fā)排序：交錯或半字節(jié)順序? 雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通（DQS和DQS#）與數(shù)據(jù)一起發(fā)送/接收? 邊緣與讀取數(shù)據(jù)對齊，中心與寫入數(shù)據(jù)對齊? DLL將DQ和DQS轉(zhuǎn)換與時鐘對齊? 差分時鐘輸入（CK和CK#）? 在每個正CK邊緣、數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)掩碼上輸入的命令都參考差分?jǐn)?shù)據(jù)選通對的兩個邊緣（雙倍數(shù)據(jù)速率）? 發(fā)布具有可編程附加延遲（AL=0、CL-1和CL-2）的CAS，以提高命令、地址和數(shù)據(jù)總線效率? 讀取延遲=加性延遲加CAS延遲（RL=AL+CL）? 讀取和寫入突發(fā)的自動預(yù)充電操作
