1.概述W9412G6KH是CMOS雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（DDRSDRAM）；組織為200萬字? 4個銀行? 16位。W9412G6KH提供高達每秒400M字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個人計算機行業(yè)標準，W9412G6KH被分為以下速度等級：-5、-5I和-6I。-5/-5I級符合DDR400/CL3規(guī)范（-5I工業(yè)級，保證支持-40°C≤TA≤85°C）。-6I工業(yè)級符合DDR333/CL3規(guī)范，保證支持-40°C≤TA≤85°C。所有輸入?yún)⒖糃LK的正邊緣（DQ、DM和CKE除外）。差分時鐘的定時參考點是當CLK和CLK信號在轉(zhuǎn)換期間交叉時。寫入和讀取數(shù)據(jù)和DQS（數(shù)據(jù)選通）的兩個邊緣同步。通過具有可編程模式寄存器，系統(tǒng)可以改變突發(fā)長度、延遲周期、交織或順序突發(fā)，以最大限度地提高其性能。W9412G6KH是任何高性能應用的理想選擇。
2.特點? 用于DDR400/333的2.5V±0.2V電源? 高達200 MHz的時鐘頻率? 雙數(shù)據(jù)速率架構；每個時鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸? 差分時鐘輸入（CLK和CLK）? DQS與用于讀取的數(shù)據(jù)邊緣對齊；與寫入數(shù)據(jù)居中對齊? CAS延遲：2、2.5和3? 突發(fā)長度：2、4和8? 自動刷新和自刷新? 預充電斷電和主動斷電? 寫入數(shù)據(jù)掩碼? 寫入延遲=1? 15.6μS刷新間隔（4K/64 mS刷新）? 最大突發(fā)刷新周期：8? 接口：SSTL_2? TSOP II 66引腳封裝，采用無鉛材料，符合RoHS標準
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 型號 W9412G6KH-5
- 數(shù)量 32500
- 封裝 TSOP66
- 品牌 WINBOND/華邦
- 批次 最新批次
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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