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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NTR1P02LT1G-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): NTR1P02LT1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NTR1P02LT1G-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝的P-Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡(jiǎn)介:

- 參數(shù):
 - 工作電壓:-20V
 - 額定電流:-4A
 - 開態(tài)電阻(RDS(ON)):57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
 - 閾值電壓(Vth):-0.81V

- 封裝:
 - SOT23

適用領(lǐng)域和模塊示例:
1. **電源管理模塊:** 由于是P-Channel溝道晶體管,NTR1P02LT1G-VB可用于電源管理模塊中的負(fù)極控制,適用于負(fù)電壓應(yīng)用。

2. **功率逆變器:** 可用于功率逆變器的開關(guān)控制,支持負(fù)電壓和較高電流的需求。

3. **電流控制模塊:** 適用于需要負(fù)電流控制的模塊,如電流源、電流放大器等。

請(qǐng)注意,具體的應(yīng)用需求和設(shè)計(jì)參數(shù)可能需要根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整和驗(yàn)證。

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