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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI2303ADS-T1-E3-VB一款SOT23封裝P—Channel場效應MOS管

型號: SI2303ADS-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:SI2303ADS-T1-E3-VB

絲?。篤B2355

品牌:VBsemi

**參數(shù)說明:**
- 封裝類型:SOT23
- 溝道類型:P—Channel
- 額定溝道電壓(VDS):-30V
- 額定溝道電流(ID):-5.6A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):-1V

**封裝:**
SOT23

**應用簡介:**
SI2303ADS-T1-E3-VB是一款P—Channel溝道的場效應晶體管(FET),適用于SOT23封裝。其主要特性包括較低的漏極-源極電阻和適用于負載開關(guān)等應用。

**領(lǐng)域和模塊應用:**
1. **電源管理模塊:** 由于其P—Channel溝道類型和適中的電流能力,SI2303ADS-T1-E3-VB可以用于電源管理模塊中的負載開關(guān),以實現(xiàn)有效的電源控制。
 
2. **電流控制模塊:** 適用于需要P—Channel MOSFET的電流控制模塊,例如電流源和電流鏡等電路。

3. **通用放大器模塊:** 在需要P—Channel MOSFET的通用放大器電路中,該器件也可能發(fā)揮作用。

請注意,具體的應用需求和設計要求可能需要詳細的電路設計和參數(shù)匹配。在使用前,請仔細查閱型號的數(shù)據(jù)手冊和應用指南。

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