產(chǎn)品型號(hào): SI2319ADS-T1-GE3-VB
絲印: VB2355
品牌: VBsemi
參數(shù): 
- 封裝類型: SOT23
- 溝道類型: P—Channel
- 最大漏極電壓: -30V
- 最大漏極電流: -5.6A
- 開啟電阻: RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = -1V

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
SI2319ADS-T1-GE3-VB是一款P—Channel溝道的SOT23封裝場(chǎng)效應(yīng)晶體管。其特點(diǎn)包括在VGS=10V和VGS=20V時(shí)的低漏電阻，適用于需要P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電路。

主要應(yīng)用領(lǐng)域:
該產(chǎn)品適用于各種電子設(shè)備和模塊，特別是在需要P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電路中。常見(jiàn)應(yīng)用領(lǐng)域包括功率放大器、開關(guān)電源、電源管理等。

請(qǐng)注意: 在使用該產(chǎn)品時(shí)，請(qǐng)仔細(xì)閱讀其數(shù)據(jù)手冊(cè)以確保正確的使用和應(yīng)用。