1. FRAM 與E2PROM相比有哪些優(yōu)勢(shì): （*必填 單選）

A.  有更快的寫入速度

B.  更的低功耗

C.  更多的讀寫次

D.  以上都是

2. FRAM 的主要接口 （*必填 單選）

A.  SPI/IIC/Parallel/QSPI

B.  SPI/IIC

C.  SPI/IIC/Parallel

D.  Parallel/QSPI

3. FRAM的主要存貯介質(zhì)結(jié)構(gòu) （*必填 單選）

A.  NAND結(jié)構(gòu)

B.  PZT晶體結(jié)構(gòu)

C.  ETOX結(jié)構(gòu)

D.  NOR結(jié)構(gòu)

4. 一般來說FRAM的存儲(chǔ)速度是E2PROM的幾倍? （*必填 單選）

A.  100倍

B.   1,000倍

C.  10,000倍

D.  40,000倍

5. FRAM的讀寫次數(shù)最大可達(dá)10萬億次，在一個(gè)需每要5ms讀寫一次數(shù)據(jù)的應(yīng)用中，F(xiàn)RAM可以使用多少年？ （*必填 單選）

A.  20年

B.  500年

C.  1585 年

D.  15,000年

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