SiT9005 降 EMI 振蕩器
SiTime 的 SiT9005 系列 MEMS 振蕩器提供簡(jiǎn)單、快速、靈活的解決方案,具有強(qiáng)大的降 EMI 電路設(shè)計(jì)。
SiTime 的 SiT9005 系列 MEMS 振蕩器提供簡(jiǎn)單、快速、靈活的解決方案,具有強(qiáng)大的降 EMI 電路設(shè)計(jì)。這些產(chǎn)品通過(guò)充分利用可調(diào)節(jié)上升/下降時(shí)間的擴(kuò)頻調(diào)制和 FlexEdge? 獨(dú)特功能組合,讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能快速、輕松地實(shí)現(xiàn) A/B 類合規(guī)性。SIT9005 器件由 SiTime 的 Time Machine II 編程器支持,設(shè)計(jì)人員能即時(shí)體驗(yàn)不同的 EMI 水平,以實(shí)現(xiàn)最佳的系統(tǒng)性能。SiT9005 產(chǎn)品是晶體振蕩器的插入式替代器件,無(wú)需更改 PCB。不同于 SSIC,這些器件不需要軟件。
SiTime 的 MEMS 振蕩器包括一個(gè) MEMS 諧振器和一個(gè)可編程模擬電路。SiT9005 MEMS 諧振器采用 SiTime 獨(dú)特的 MEMS First? 工藝。關(guān)鍵制造步驟是 EpiSeal?,讓 MEMS 諧振器在溫度超過(guò) +1000 °C 時(shí)退火。EpiSeal 創(chuàng)造了極其牢固、干凈的真空室來(lái)封裝 MEMS 諧振器,以確保最佳的性能和可靠性。
特性
●極靈活的降 EMI 選擇
■更寬擴(kuò)頻范圍:高達(dá) 3.5%,0.125% 步階
■許多上升/下降時(shí)間設(shè)置:8 個(gè)選擇
■可選出廠可配置擴(kuò)頻規(guī)范:三角形和 Hershey-kiss
●最佳的魯棒性
■業(yè)內(nèi)一流的 AC 耦合噪聲注入抗擾度:優(yōu)于石英晶體 10 倍
■出色的抗沖擊和振動(dòng)電阻:提升 30 倍
●更強(qiáng)的性能和功能
■體積最小的封裝 2.0 mm2 x 1.6 mm2,適合緊湊型應(yīng)用
■最佳的可制造性封裝:SOT23
■最佳的頻率穩(wěn)定性:在 -40 °C 至 +85 °C 溫度范圍內(nèi)為 ±20 ppm
■更快的啟動(dòng)時(shí)間:5 ms
應(yīng)用
●攝像頭傳感器
●觸摸屏
●打印機(jī)
●監(jiān)控?cái)z像頭
●大屏幕顯示器
●工業(yè)電機(jī)
| 圖片 | 制造商型號(hào) | 資料 | 庫(kù)存 | 貨期(工作日) | 描述 | 操作 |
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SIT9005AI-21-18ED37.125000E |
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10000 |
香港: 國(guó)內(nèi):4-5周 |
-40 TO 85C, 3225, 20PPM, 1.8V, 3
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SIT9005AI-21-18ED40.000000E |
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10000 |
香港: 國(guó)內(nèi):4-5周 |
-40 TO 85C, 3225, 20PPM, 1.8V, 4
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SIT9005AI-21-18EH37.125000E |
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10000 |
香港: 國(guó)內(nèi):4-5周 |
-40 TO 85C, 3225, 20PPM, 1.8V, 3
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SIT9005AI-21-18EH40.000000E |
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10000 |
香港: 國(guó)內(nèi):4-5周 |
-40 TO 85C, 3225, 20PPM, 1.8V, 4
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SIT9005AI-21-33ED37.125000E |
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10000 |
香港: 國(guó)內(nèi):4-5周 |
-40 TO 85C, 3225, 20PPM, 3.3V, 3
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SIT9005AI-21-33ED40.000000E |
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10000 |
香港: 國(guó)內(nèi):4-5周 |
-40 TO 85C, 3225, 20PPM, 3.3V, 4
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SIT9005AI-21-33EH37.125000E |
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10000 |
香港: 國(guó)內(nèi):4-5周 |
-40 TO 85C, 3225, 20PPM, 3.3V, 3
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SIT9005AI-21-33EH40.000000E |
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10000 |
香港: 國(guó)內(nèi):4-5周 |
-40 TO 85C, 3225, 20PPM, 3.3V, 4
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