SiT8009B 高頻低功耗振蕩器
SiTime SiT8009B 提供頻率高達 115 MHz 的低功耗性能,且具備 MEMS 穩(wěn)健性并避免了 EMI 問題。
SiTime SiT8009B 是帶有 LVCMOS/LVTTL 兼容型輸出的、業(yè)內(nèi)功耗最低的高頻振蕩器。該器件的 5.5 mA(典型值)電流消耗(采用 1.8 V 供電)實現(xiàn)了更綠色的電子產(chǎn)品,而不會削弱性能。該器件實現(xiàn)了低功耗、出色穩(wěn)定性、靈活的工作電壓和小尺寸的完美結合,適合大量便攜式和消費類應用。SiT8009B 系列具有可編程驅動強度,且該特性針對特定應用優(yōu)化了上升/下降時間。 可編程驅動強度帶來的優(yōu)勢包括提升了 EMI 性能、降低了抖動并能驅動大型容性負載。
SiT8009B 振蕩器可作為現(xiàn)場可編程器件,配合使用 SiTime 的 Time Machine II 編程器。利用該編程器,可在數(shù)秒內(nèi)按照精確的規(guī)范輕松配置現(xiàn)場可編程振蕩器。設計人員可配置 MEMS 振蕩器的頻率、電壓、穩(wěn)定性以及多個特殊功能,如可調節(jié)上升和下降時間,從而加快設計速度,優(yōu)化系統(tǒng)。
特點
● 功耗最低的高頻振蕩器:
■ 5.5 mA 典型工作電流 (1.8 V)
■ 1 μA 典型待機電流 (1.8 V)
● 小型 2016 和 2520 封裝,適用于所有的頻率、電壓和穩(wěn)定性
● 可配置特性集:
■ 具有六位小數(shù)精度的 115 MHz 至 137 MHz 之間的任何頻率
■ 從 ±20 PPM 至 ±50 PPM 的穩(wěn)定性
■ 工業(yè)或擴展商用溫度
■ 1.8 V 或 2.5 V 至 3.3 V 電源電壓
● SoftEdgeTM 可配置驅動強度
優(yōu)勢
● 更長的電池壽命
● 可實現(xiàn)更綠色的電子產(chǎn)品
● 節(jié)省更多板空間,不會降低性能和可用性
● 為實現(xiàn)最佳系統(tǒng)性能的自定義規(guī)格
● 使用相同的基礎器件實現(xiàn)多種設計,減少認證需求
● 通過較慢上升/下降時間最大限度減少振蕩器的 EMI
● 通過驅動多個負載并消除了多余的定時元件來節(jié)省成本
● 減少庫存開銷
● 減輕短路風險
應用
● GPON
● EPON
● 以太網(wǎng)
● SATA/SAS
● SSD
● 存儲服務器
● PCI
● PCI-E
● DDR
| 圖片 | 制造商型號 | 資料 | 庫存 | 貨期(工作日) | 描述 | 操作 |
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SIT8009BC-11-18E-125.000000E |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-11-XXE-125.000000D |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-11-XXE-125.000000E |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-11-XXE-125.000000G |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-12-18E-133.330000D |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 133.33MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-12-18E-133.330000E |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 133.33MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-12-25E-125.00875D |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
OSC MEMS 125.00875MHZ LVCMOS SMD
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SIT8009BC-12-25E-125.00875E |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
OSC MEMS 125.00875MHZ LVCMOS SMD
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SIT8009BC-13-18E-125.000000D |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 1.8V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-13-18E-125.000000E |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 1.8V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-13-30E-125.0000D |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD
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SIT8009BC-13-30E-125.0000E |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD
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SIT8009BC-13-33E-125.000000D |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-13-33E-125.000000E |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-13-33E-125.000000G |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-13-XXE-125.000000D |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-13-XXE-125.000000E |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-21-18E-125.000000E |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 3225, 20ppm, 1.8V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-21-XXE-125.000000E |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 3225, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-22-33E-135.000000D |
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10000 |
香港: 國內(nèi):4-5周 |
-20 to 70C, 3225, 25ppm, 3.3V, 135MHz, OE, T&R
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