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廠商專區(qū)>sitime>新品>SiT8009B 高頻低功耗振蕩器

SiT8009B 高頻低功耗振蕩器

SiTime SiT8009B 提供頻率高達 115 MHz 的低功耗性能,且具備 MEMS 穩(wěn)健性并避免了 EMI 問題。

SiTime SiT8009B 是帶有 LVCMOS/LVTTL 兼容型輸出的、業(yè)內(nèi)功耗最低的高頻振蕩器。該器件的 5.5 mA(典型值)電流消耗(采用 1.8 V 供電)實現(xiàn)了更綠色的電子產(chǎn)品,而不會削弱性能。該器件實現(xiàn)了低功耗、出色穩(wěn)定性、靈活的工作電壓和小尺寸的完美結合,適合大量便攜式和消費類應用。SiT8009B 系列具有可編程驅動強度,且該特性針對特定應用優(yōu)化了上升/下降時間。 可編程驅動強度帶來的優(yōu)勢包括提升了 EMI 性能、降低了抖動并能驅動大型容性負載。


SiT8009B 振蕩器可作為現(xiàn)場可編程器件,配合使用 SiTime 的 Time Machine II 編程器。利用該編程器,可在數(shù)秒內(nèi)按照精確的規(guī)范輕松配置現(xiàn)場可編程振蕩器。設計人員可配置 MEMS 振蕩器的頻率、電壓、穩(wěn)定性以及多個特殊功能,如可調節(jié)上升和下降時間,從而加快設計速度,優(yōu)化系統(tǒng)。


特點

   功耗最低的高頻振蕩器:

           5.5 mA 典型工作電流 (1.8 V)

           1 μA 典型待機電流 (1.8 V)

   小型 2016 和 2520 封裝,適用于所有的頻率、電壓和穩(wěn)定性

   可配置特性集:

           具有六位小數(shù)精度的 115 MHz 至 137 MHz 之間的任何頻率

           從 ±20 PPM 至 ±50 PPM 的穩(wěn)定性

           工業(yè)或擴展商用溫度

           1.8 V 或 2.5 V 至 3.3 V 電源電壓

   SoftEdgeTM 可配置驅動強度


優(yōu)勢

   更長的電池壽命

   可實現(xiàn)更綠色的電子產(chǎn)品

   節(jié)省更多板空間,不會降低性能和可用性

   為實現(xiàn)最佳系統(tǒng)性能的自定義規(guī)格

   使用相同的基礎器件實現(xiàn)多種設計,減少認證需求

   通過較慢上升/下降時間最大限度減少振蕩器的 EMI

   通過驅動多個負載并消除了多余的定時元件來節(jié)省成本

   減少庫存開銷

   減輕短路風險


應用

   GPON  

   EPON

   以太網(wǎng)

   SATA/SAS

   SSD

   存儲服務器

   PCI

   PCI-E

   DDR

圖片 制造商型號 資料 庫存 貨期(工作日) 描述 操作
SIT8009BC-11-18E-125.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-11-XXE-125.000000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-11-XXE-125.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-11-XXE-125.000000G 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-12-18E-133.330000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 133.33MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-12-18E-133.330000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 133.33MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-12-25E-125.00875D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
OSC MEMS 125.00875MHZ LVCMOS SMD
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SIT8009BC-12-25E-125.00875E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
OSC MEMS 125.00875MHZ LVCMOS SMD
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SIT8009BC-13-18E-125.000000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 1.8V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-13-18E-125.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 1.8V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-13-30E-125.0000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD
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SIT8009BC-13-30E-125.0000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
OSC MEMS 125.0000MHZ LVCMOS SMD
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SIT8009BC-13-33E-125.000000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-13-33E-125.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-13-33E-125.000000G 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 3.3V, 125MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-13-XXE-125.000000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-13-XXE-125.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 50ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, T&R
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SIT8009BC-21-18E-125.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 3225, 20ppm, 1.8V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-21-XXE-125.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 3225, 20ppm, 2.25V-3.63V, 125MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8009BC-22-33E-135.000000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 3225, 25ppm, 3.3V, 135MHz, OE, T&R
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