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SiT1532 超小型 32 kHz 振蕩器

SiTime 的超低功耗振蕩器相比晶體 XTAL 解決方案的基底面減小了 85% 。

SiTime SiT1532 系列 MEMs 振蕩器是世界上體積最小、最低功耗的 32 kHz 振蕩器,針對手持設(shè)備、平板電腦、活動跟蹤器、智能手表、GPS 模塊和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 等移動和可穿戴電子產(chǎn)品進行了優(yōu)化。與晶體相比,SiT1532 振蕩器輸出實現(xiàn)了更高的元件貼裝操作靈活性,無需外部負載電容器,從而節(jié)省更多的元件數(shù)和板空間。不同于標(biāo)準(zhǔn)晶體振蕩器,SiT1532 具備工廠可編程輸出 Nano NanoDrive?,降低了電壓的擺幅并將功耗降至最低。SiT1532 既消除了常常搭配標(biāo)準(zhǔn)晶體的外部輸出負載電容器,還包括特殊電源濾波,因此省去了外部 VDD 旁路去耦電容器。SiTime 的硅 MEMS 技術(shù)可實現(xiàn)最小的基底面和芯片級封裝。相比現(xiàn)有 2.0 mm x 1.2 mm 封裝 SMD 晶體,該器件將 32 kHz 基底面減小 85%。


特性和優(yōu)勢

   芯片級 (CSP) 的極小基底面:1.5 mm x 0.8 mm

          節(jié)省板空間

   ● NanoDrive 降低了振蕩器輸出擺幅

          直連晶體 IN 引腳(振蕩器輸入)

          可編程輸出擺幅,最大限度減少功耗

          振蕩器輸出消除了負載電容器

   無負載或者 VDD 濾波電容

          無需任何外部電容器

          消除了石英晶體常見的、與負載相關(guān)的啟動問題

   超低功耗:900 nA(典型值)

          ■  更長的電池壽命

   可在低至 1.2 V 的輸入電壓下工作

          ■  支持紐扣電池或超級電容作為備用電池

   在 -40 °C 至 +85 °C 溫度范圍內(nèi)小于 100 ppm 的頻率穩(wěn)定性

          ■  相比石英晶體高 2 倍的穩(wěn)定性

          ■  改善了無線連接和 RTC 精度


應(yīng)用

   智能電話

   平板電腦

   健康和保健監(jiān)視器

   健身手表

   運動視頻攝像機

   無線鍵盤

   超小型筆記本電腦

   RTC 基準(zhǔn)時鐘

   醫(yī)療監(jiān)控

   電池管理計時


圖片 制造商型號 資料 庫存 貨期(工作日) 描述 操作
SIT1532AC-J5-AA3-32.768E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-10 to 70C, 1508, 75ppm, 0.032768MHz, AC-C, 300mV, AC-C Receiver, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT1532AC-J5-D14-32.768E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-10 to 70C, 1508, 75ppm, 0.032768MHz, DC-C, 400mV, 1.10V, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT1532AC-J5-D14-32.768G 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
OSC MEMS 32.768KHZ
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SIT1532AC-J5-DCC-32.768D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-10 to 70C, 1508, 75ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm
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SIT1532AC-J5-DCC-32.768E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-10 to 70C, 1508, 75ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT1532AC-J5-DCC-32.768G 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
OSC MEMS 32.7680KHZ LVCMOS SMD
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SIT1532AC-J5-DCC-32.768S 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-10 to 70C, 1508, 75ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 10k pcs T&R 8 mm
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SIT1532AI-J4-D14-32.768S 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-40 to 85C, 1508, 100ppm, 0.032768MHz, DC-C, 400mV, 1.10V, 10k pcs T&R 8 mm
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SIT1532AI-J4-D26-32.768D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-40 to 85C, 1508, 100ppm, 0.032768MHz, DC-C, 600mV, 1.20V, 3k pcs T&R 8 mm
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SIT1532AI-J4-D26-32.768E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-40 to 85C, 1508, 100ppm, 0.032768MHz, DC-C, 600mV, 1.20V, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT1532AI-J4-DCC-32.768D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-40 to 85C, 1508, 100ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm
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SIT1532AI-J4-DCC-32.768E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-40 to 85C, 1508, 100ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm
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