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SiT1552 系列超小型精密 32 kHz TCXO

SiTime SiT1552 采用業(yè)內(nèi)最小的基底面封裝 (1.5 mm x 0.8 mm CSP),電流消耗僅 990 nA,適用于移動(dòng)、可穿戴設(shè)備、消費(fèi)電子和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。

SiTime TempFlat? MEMS 技術(shù)實(shí)現(xiàn)了首個(gè) 1.2 mm2 芯片級(jí)封裝的世界上體積最小的 32 kHz TCXO。典型內(nèi)核供電電流僅為 1 μA。不同于標(biāo)準(zhǔn)晶體振蕩器,SiT1552 具備工廠可編程輸出 NanoDrive?,降低了電壓的擺幅并將功耗降至最低。SiT1552 在多個(gè)溫度點(diǎn)經(jīng)過(guò)工廠校準(zhǔn),以保證 ±10 ppm 至 ±20 ppm 的極高頻率穩(wěn)定性(初始 + 超溫)。


特性和優(yōu)勢(shì)

   溫度范圍內(nèi) ±5 ppm 的頻率穩(wěn)定性

   芯片級(jí) (CSP) 的極小基底面:1.5 mm x 0.8 mm

   超低功耗:990 nA(典型值)

   NanoDrive 降低了振蕩器輸出擺幅

   內(nèi)部 VDD 電源濾波

   節(jié)省板空間

   最大限度提高電池壽命

   可編程輸出擺幅,最大限度減少功耗

   消除了外部 VDD 旁路電容器,從而保持超小型基底面

   更高的本地計(jì)時(shí)、提升了系統(tǒng)功耗,減少了手機(jī)和可穿戴設(shè)備對(duì)網(wǎng)絡(luò)計(jì)時(shí)更新的依賴


應(yīng)用

   智能電表 (AMR)

   健康和保健監(jiān)視器

   每秒脈沖 (pps) 計(jì)時(shí)

圖片 制造商型號(hào) 資料 庫(kù)存 貨期(工作日) 描述 操作
SIT1552AC-JE-DCC-32.768D 10000 香港:
國(guó)內(nèi):4-5周
-10 to 70C, 1508, 5ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm
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SIT1552AC-JE-DCC-32.768E 10000 香港:
國(guó)內(nèi):4-5周
-10 to 70C, 1508, 5ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT1552AC-JE-DCC-32.768G 10000 香港:
國(guó)內(nèi):4-5周
OSC MEMS TCXO 32.7680KHZ LVCMOS
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SIT1552AI-J1-DCC-32.768D 10000 香港:
國(guó)內(nèi):4-5周
-40 to 85C, 1508, 20ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm
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國(guó)內(nèi):4-5周
-40 to 85C, 1508, 20ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT1552AI-JE-D14-32.768E 10000 香港:
國(guó)內(nèi):4-5周
OSC MEMS TCXO 32.768KHZ NANODR
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國(guó)內(nèi):4-5周
-40 to 85C, 1508, 5ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm
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國(guó)內(nèi):4-5周
-40 to 85C, 1508, 5ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm
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國(guó)內(nèi):4-5周
TCXO 振盪器 32.768KHz 5ppm -40C +85C TCXO
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國(guó)內(nèi):4-5周
-40 to 85C, 1508, 5ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 10k pcs T&R 8 mm
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國(guó)內(nèi):4-5周
-40 to 85C, 1508, 10ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 3k pcs T&R 8 mm
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國(guó)內(nèi):4-5周
-40 to 85C, 1508, 10ppm, 0.032768MHz, DC-C, R2R LVCMOS, R2R LVCMOS, 1k pcs T&R 8 mm
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