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SiT8008B 低功耗 MEMs 振蕩器

SiTime 的 SiT8008B 具備低功耗和 MEMS 穩(wěn)健性,性能優(yōu)于晶體振蕩器。

SiTime SiT8008B 系列基于 MEMs 的振蕩器是業(yè)內(nèi)最低功耗的可編程振蕩器。它具有極寬的頻率范圍、極低功耗、極小尺寸、極佳穩(wěn)定性和極短的前置時(shí)間,適用于消費(fèi)者、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和其他應(yīng)用。SIT8008B 系列產(chǎn)品包括具有可編程的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度功能,針對特定應(yīng)用優(yōu)化了上升/下降時(shí)間??删幊痰尿?qū)動(dòng)強(qiáng)度帶來的優(yōu)勢包括提升了的 EMI 性能、更小的抖動(dòng)并能驅(qū)動(dòng)大容性負(fù)載。


SiT8008B 振蕩器作為現(xiàn)場可編程器件提供,可配合 SiTime 的 Time Machine II 編程器一起使用。利用該編程器,可在數(shù)秒內(nèi)按照精確的規(guī)范輕松配置現(xiàn)場可編程振蕩器。設(shè)計(jì)人員可配置 MEMS 振蕩器的頻率、電壓、穩(wěn)定性以及多個(gè)特殊功能,如可調(diào)節(jié)上升和下降時(shí)間,從而加快設(shè)計(jì)速度,優(yōu)化系統(tǒng)。


特性和優(yōu)勢

   為實(shí)現(xiàn)最佳系統(tǒng)性能的自定義規(guī)格

   可配置的特性集:

           具有六位小數(shù)精度的 1 MHz 至 110 MHz 之間的任何頻率

           從 ±20 PPM 至 ±50 PPM 的穩(wěn)定性

           工業(yè)或擴(kuò)展商用溫度

           1.8 V 或 2.5 V 至 3.3 V 電源電壓

   小型 2016 和 2520 封裝,適用于所有的頻率、電壓和穩(wěn)定性

   降低了功耗,實(shí)現(xiàn)更綠色的系統(tǒng)

   延長便攜式應(yīng)用的電池壽命

   SoftEdgeTM 可配置驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度

   減輕短路風(fēng)險(xiǎn)

   低功耗:

           1.2 μA(典型值)待機(jī)電流 (1.8 V)

           3.6 mA(典型值)工作電流 (1.8 V)

   減少庫存開銷

   通過驅(qū)動(dòng)多個(gè)負(fù)載并消除了多余的定時(shí)元件來節(jié)省成本

   通過較慢上升/下降時(shí)間最大限度減少振蕩器的 EMI

   節(jié)省更多板空間的同時(shí)不降低性能和可用性

   使用相同的基礎(chǔ)器件實(shí)現(xiàn)多種設(shè)計(jì),減少認(rèn)證需求


應(yīng)用

   以太網(wǎng)

   火警線路

   USB

   音頻

   視頻

   SATA/SAS

   光纖通道

   固態(tài)硬盤 (SSD)

   存儲(chǔ)服務(wù)器

   計(jì)算機(jī)服務(wù)器

   處理器時(shí)鐘

   FPGA 時(shí)鐘

   網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)和網(wǎng)關(guān)

   閉路電視和監(jiān)控設(shè)備

   工業(yè)探頭和設(shè)備

   醫(yī)療設(shè)備

圖片 制造商型號(hào) 資料 庫存 貨期(工作日) 描述 操作
SIT8008BC-11-18E-100.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 100MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8008BC-11-18E-16.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 16MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8008BC-11-18E-24.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 24MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8008BC-11-18E-25.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 25MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8008BC-11-18E-26.000000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 26MHz, OE, 3k pcs T&R 8 mm
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SIT8008BC-11-18E-27.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 27MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
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SIT8008BC-11-18E-50.00000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
OSCMEMS50.0000MHZLVCMOSSMD
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SIT8008BC-11-18E-50.00000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
OSC MEMS 50.0000MHZ LVCMOS SMD
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SIT8008BC-11-18E-8.000000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 8MHz, OE, T&R
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SIT8008BC-11-18E-8.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 8MHz, OE, T&R
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SIT8008BC-11-18S-82.002500D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 82.0025MHz, ST, T&R
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SIT8008BC-11-18S-82.002500E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 1.8V, 82.0025MHz, ST, T&R
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SIT8008BC-11-25E-2.048000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.5V, 2.048MHz, OE, T&R
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SIT8008BC-11-25E-2.048000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.5V, 2.048MHz, OE, T&R
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SIT8008BC-11-25S-20.000000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.5V, 20MHz, ST, T&R
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SIT8008BC-11-25S-20.000000E 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.5V, 20MHz, ST, T&R
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SIT8008BC-11-28E-22.000000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.8V, 22MHz, OE, T&R
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國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.8V, 22MHz, OE, T&R
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SIT8008BC-11-28E-24.000000D 10000 香港:
國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.8V, 24MHz, OE, T&R
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國內(nèi):4-5周
-20 to 70C, 2520, 20ppm, 2.8V, 24MHz, OE, T&R
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