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　　F-RAM芯片包含一個鋯鈦酸鉛［Pb（Zr，Ti）O3］的薄鐵電薄膜，通常被稱為PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在電場中改變極性，從而產(chǎn)生一個二進(jìn)制開關(guān)。與RAM器件不同，F(xiàn)-RAM在電源被關(guān)閉或中斷時，由于PZT晶體保持極性能保留其數(shù)據(jù)記憶。這種獨特的性質(zhì)讓F-RAM成為一個低功耗、非易失性存儲器。