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　　GaN-on-Si主要是指硅基氮化硅，包括AIN、Ga2O3、GaSb、InSb 、Diamond特性類似的新一代材料，應(yīng)用領(lǐng)域包括Laser Diode& LED在內(nèi)的Opto-electronics·Photonics、Power Device（功率元件）和RF Device（射頻元件）等。