多晶硅光電池

?P－Si（多晶硅，包括微品）光電池沒有光致衰退效應(yīng)，材料質(zhì)量有所下降時(shí)也不會(huì)導(dǎo)致光電池受影響，是國(guó)際上正掀起的前沿性研究熱點(diǎn)。在單晶硅襯底上用液相外延制備的p－Si光電池轉(zhuǎn)換效率為15.3％，經(jīng)減薄襯底，加強(qiáng)陷光等加工，可提高到23.7%，用CVD法制備的轉(zhuǎn)換效率約為12.6—l7.3%。采用廉價(jià)襯底的p—si薄膜生長(zhǎng)方法有PECVD和熱絲法，或?qū)—si：H材料膜進(jìn)行后退火，達(dá)到低溫固相晶化，可分別制出效率9.8%和9.2%的無退化電池。微晶硅薄膜生長(zhǎng)與a—si工藝相容，光電性能和穩(wěn)定性很高，研究受到很大重視，但效率僅為7.7％大面積低溫p—si膜與—si組成疊層電池結(jié)構(gòu)，是提高比a—S光電池穩(wěn)定性和轉(zhuǎn)換效率的重要途徑，可更充分利用太陽光譜，理論計(jì)算表明其效率可在28％以上，將使硅基薄膜光電池性能產(chǎn)生突破性進(jìn)展。銅煙硒光電池 CIS（銅鎖硒）薄膜光電池己成為國(guó)際先伏界研究開發(fā)的熱門課題，它具有轉(zhuǎn)換效率高（已達(dá)到17.7％），性能穩(wěn)定，制造成本低的特點(diǎn)。CIS光電池一般是在玻璃或其它廉價(jià)襯底上分別沉積多層膜而構(gòu)成的，厚度可做到2－3μrn，吸收層CIS膜對(duì)電池性能起著決定性作用。
??? 現(xiàn)已開發(fā)出反應(yīng)共蒸法和硒化法（濺射、蒸發(fā)、電沉積等）兩大類多種制備方法，其它外層通常采用真空蒸發(fā)或?yàn)R射成膜。阻礙其發(fā)展的原風(fēng)是工藝重復(fù)性差，高效電池成品率低，材料組分較復(fù)雜，缺乏控制薄膜生長(zhǎng)的分析儀器。CIS光電池正受到產(chǎn)業(yè)界重視，一些知名公司意識(shí)到它在未來能源市場(chǎng)中的前景和所處地位，積極擴(kuò)人開發(fā)規(guī)模，著手組建中試線及制造廠。?
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