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Vishay推出用于直接IGBT安裝的鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器

2013年04月08日 14:34 電子發(fā)燒友網(wǎng) 作者:春波綠影 用戶評論(0

  賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 4 月8日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款高性能鍍金屬聚丙烯膜緩沖電容器---Vishay Roederstein MKP386M,該器件可直接安裝在絕緣柵雙極型晶體管IGBT)模塊上,容量從0.047μF到10μF,可在+105℃高溫下工作,有700VDC~2500VDC和420VAC~800VAC共7個電壓等級。

  MKP386M可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流,壽命超過30萬小時,可減少由切換IGBT引起的電壓和電流尖峰,這種尖峰是電磁干擾(EMI)的重要來源。典型應(yīng)用包括功率轉(zhuǎn)換器、頻率轉(zhuǎn)換器,以及風(fēng)力機(jī)逆變器、中功率和高功率太陽能逆變器、汽車動力總成中的電機(jī)驅(qū)動。Vishay還提供結(jié)構(gòu)長度58mm的器件,用于高功率IGBT模塊。

  緩沖電容器的ESR低至1.5mΩ,容量公差±5 %,引線間隔的每毫米自感為0.7nH,RMS電流高達(dá)20A。器件采用阻燃塑料外殼和環(huán)氧樹脂密封,無鉛、無鹵素,符合RoHS指令。

  MKP386M現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為十周到十二周。

  VISHAY簡介

  Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體二極管、MOSFET紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

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