在電路板上除了要體現(xiàn)電路的邏輯或功能確保LVS驗(yàn)證正確外，還要增加一些與LVS（電路匹配）無關(guān)的電阻，以減小中間過程中的偏差，我們通常稱這些電阻為dummy電阻。

　　dummy電阻的作用：

　　1、保證可制造性，防止芯片在制造過程中由于曝光過渡或不足而導(dǎo)致的蝕刻失?。喝缭趖apeout的時(shí)候會檢查芯片的density，插入dummy metal、dummy poly、dummy diff等；

　　2、避免由于光刻過程中光的反射與衍射而影響到關(guān)鍵元器件物理圖形的精度進(jìn)又而影響其size：如在模擬電路的電阻、電容陣列外圍加上dummy res和dummy cap等，以及關(guān)鍵MOS附近加dummy MOS等；

　　3、避免芯片中的noise對關(guān)鍵信號的影響，在關(guān)鍵信號的周圍加上dummy rouTIng layer后者dummy元器件：如對于某些易受干擾的信號線除了盡量減小其走線長度外，還應(yīng)該在其走線的左右和上下都加上dummy metal/poly并接地，保證其不受noise的影響。在cap外圍加dummy cap也有類似的作用。

　　使用dummy電阻的注意事項(xiàng)：

　　電阻的dummy是保證處于邊緣的電阻與其他電阻蝕刻環(huán)境一樣。

　　電阻dummy兩頭接地vssx。

　　在匹配電路的mos管左右畫上dummy，用poly，poly的尺寸與管子尺寸一樣，dummy與相鄰的第一個(gè)poly gate的間距等于poly gate之間的間距。

　　金屬層dummy要和金屬走向一致，即如果M2橫走，M2的dummy也是橫走向。

　　多個(gè)電阻（大于兩根）打上DUMMY。保證每根電阻在光刻時(shí)所處的環(huán)境一樣，最外面的電阻的NPIM層要超出EPOLY2 0.55 um，即兩根電阻間距的一半。

　　消除電阻dummy的lvs報(bào)錯(cuò)，把nimp和RPdummy層移出最邊緣的電阻，不要覆蓋dummy。