硅和鍺兩種二極管的特性曲線差異
1） 硅二極管反向電流比鍺二極管反向電流小的多，鍺管為mA級，硅管為nA級。這是因為在相同溫度下鍺的ni比硅的ni要高出約三個數量級，所以在相同摻雜濃度下硅的少子濃度比鍺的少子濃度低的多，故硅管的反向飽和電流Is很小。
2）在正向電壓很小時，通過二極管的電流很小，只有正向電壓達到某一數值Ur后，電流才明顯增長。通常把電壓Ur稱為二極管的門限電壓，也稱為死區(qū)電壓或閾值電壓。由于硅二極管的Is遠小于鍺二極管的Is，所以硅二極管的門限電壓大于鍺二極管的門限電壓。一般硅二極管的門限電壓約為0.5V~0.6V, 鍺二極管的門限電壓約為0.1V~0.2V。