東芝開發(fā)出提高了內(nèi)置二極管（體二極管）恢復(fù)特性的超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造MOSFET“DTMOS”，并在2013年5月14～16日于德國紐倫堡舉行的功率電子技術(shù)大會(huì)“PCIM 2013”上進(jìn)行了展示。新產(chǎn)品的耐壓為600V，與該公司原產(chǎn)品相比，縮短了內(nèi)置二極管的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。
此次東芝展出了三款開發(fā)產(chǎn)品，包括最大電流為15.8A、導(dǎo)通電阻為0.23Ω的“TK16A60W5”；最大電流為30.8A、導(dǎo)通電阻為0.099Ω的“TK31A60W5”；以及最大電流為38.8A、導(dǎo)通電阻為0.074Ω的“TK39A60W5”。
內(nèi)置二極管的反向恢復(fù)時(shí)間方面，TK16A60W5為100ns（標(biāo)稱值），而東芝的原產(chǎn)品則為280ns。新產(chǎn)品的溫度特性也進(jìn)一步提高，在150℃的溫度下工作時(shí)，反向恢復(fù)時(shí)間為140ns。據(jù)解說員介紹，“其他公司產(chǎn)品的反向恢復(fù)時(shí)間大都在160ns左右”。