肖特基二極管（SBD）是一種低功耗、大電流、超高速半導體器件。其顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安培。肖特基二極管多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。常用在彩電的二次電源整流，高頻電源整流中。??

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

肖特基二極管（Schottky Barrier Diode） ，它是具有肖特基特性的“金屬半導體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為型半導體。

肖特基二極管的作用是單相導電特性的，利用金屬與半導體接觸所形成的勢壘對電流進行控制。這也就是我們常常說的肖特基二極管的作用原理。

肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的多屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度表面逐漸降輕工業(yè)部，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。?

基本原理是：在金屬和N型硅片的接觸面上，用金屬與半導體接觸所形成的勢壘對電流進行控制。肖特基與PN結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右，大多不高于60V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。其特長是：開關(guān)速度非常快：反向恢復時間特別地短。因此，能制作開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。

肖特基二極管伏安特性

1.正向特性

肖特基二極管兩端加正向電壓時，就產(chǎn)生正向電流，當正向電壓較小時，正向電流極小（幾乎為零），這一部分稱為死區(qū)，相應(yīng)的A（A′）點的電壓稱為死區(qū)電壓或門檻電壓（也稱閾值電壓），硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V，如圖中OA（OA′）段。

當正向電壓超過門檻電壓時，正向電流就會急劇地增大，肖特基二極管呈現(xiàn)很小電阻而處于導通狀態(tài)。這時硅管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.7V，鍺管約為0.2~0.3V，如圖中AB（A′B′）段。

肖特基二極管正向?qū)〞r，要特別注意它的正向電流不能超過值，否則將燒壞PN結(jié)。

2.反向特性

肖特基二極管兩端加上反向電壓時，在開始很大范圍內(nèi)，肖特基二極管相當于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時的電流稱之為反向飽和電流IR，見圖中OC（OC′）段。

3.反向擊穿特性

肖特基二極管反向電壓加到一定數(shù)值時，反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。此時對應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓，用UBR表示，如圖1.11中CD（C′D′）段。

4.溫度對特性的影響

由于肖特基二極管的核心是一個PN結(jié)，它的導電性能與溫度有關(guān)，溫度升高時肖特基二極管正向特性曲線向左移動，正向壓降減小;反向特性曲線向下移動，反向電流增大。