東京—東芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅(qū)動光電耦合器，用于直接驅(qū)動中低等功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（power MOSFET）。量產(chǎn)出貨即日啟動。
新款光電耦合器包括用于驅(qū)動小功率IGBT的“TLP5751”和用于驅(qū)動中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”，它們均采用低高度SO6L封裝。與采用DIP8封裝的東芝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的高度僅為前者的54%，安裝面積僅為前者的43%，有助于開發(fā)更纖薄小巧的裝置。盡管高度較低，但新產(chǎn)品依然保證了8mm的爬電距離和5kV的絕緣電壓，適用于對絕緣規(guī)格要求較高的應(yīng)用。
電氣特性方面，新款光電耦合器擁有軌對軌輸出，在滿擺幅輸出狀態(tài)下可通過擴(kuò)大操作電壓范圍來實現(xiàn)更高的效率。新產(chǎn)品提供1A、2.5A和4A三種輸出電流，以滿足廣泛的用戶需求。新產(chǎn)品還內(nèi)置東芝獨創(chuàng)的高功率紅外LED，適用于多種應(yīng)用，包括需要高度熱穩(wěn)定性的應(yīng)用，例如工廠自動化、家用光電電力系統(tǒng)、數(shù)字化家用電器和不間斷電源（UPS）。
新產(chǎn)品主要規(guī)格
