這里首先提供幾篇應(yīng)用手記上的計算方法，然后對其進行改進對比，然后在仿真中對比實際結(jié)果。
首先我們將關(guān)心的因素縮小，把主要考慮的元素分為Mos管的等效輸出電容Coss，變壓器勵磁電感Lm，變壓器的初級漏感Lkp作為考慮對象。
如圖所示，如果不加RCD鉗位，電路在DCM模式下，電路可能發(fā)生兩次振蕩，第一次主要是初級漏感Lkp和Coss的電容引起的，第二次主要是在電路能量耗盡后，勵磁電感和Coss電容振蕩引起的這里需要補充一下，在仿真的時候，已經(jīng)觀察到了這個明顯的現(xiàn)象了。
下面開始我們的計算：
計算過程，把Flyback的計算過程帶入其中：
找了好些文檔都是這么計算的，不過我發(fā)現(xiàn)幾個問題
1.消耗的能量不僅僅是漏感的，也包括勵磁電感的能量
2.在鉗位過程中，電壓是變化的，并不存在徹底鉗位在V.c_mx的情況發(fā)生
因此我們需要修改模型
反激DCM模式RCD參數(shù)計算
2009年11月21日 11:03 m.sdkjxy.cn 作者：佚名 用戶評論（0）
關(guān)鍵字：DCM模式(8448)RCD參數(shù)(7098)
反激DCM模式RCD參數(shù)計算
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