(1) 產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的變化直接影響到EMC 性能。如：PCB 或DCB 的排版設(shè)計，通常需要通過幾次調(diào)整，如改變輸入輸出之間的走線位置、元件的擺放位置等，才能達(dá)到最佳狀態(tài);

　　(2) 所有測試的光耦中，VISHAY 光耦的性能比較突出，其多數(shù)光耦的Burst 測試可以達(dá)到4kV。其它廠家的光耦較少能達(dá)到4kV(關(guān)于這一點(diǎn)，主要取決于光耦內(nèi)部的結(jié)構(gòu));

　　(3) 壓敏電阻RV 對Burst 性能影響不明顯，而對Surge 性能影響極大;因此在有較大浪涌電壓沖擊的場合，應(yīng)加上R V 。R V 的大小要視可控硅的阻斷電壓高低來決定;

　　(4) 從試驗數(shù)據(jù)可以看出，在耐電脈沖群沖擊方面，光耦對繼電器的影響較大(見結(jié)論的第2 點(diǎn))，不同的光耦其耐沖擊性能不一樣;而在耐Surge 時，可控硅對繼電器的影響最大(較差的可控硅如dv/dt 太低等，將被擊穿);

　　(5) 對于不同的組合，將有不同的EMC 能力。如果用EMC 較好的光耦配較差的可控硅，將造成較差的E M C抗擾能力。反之可得出同樣結(jié)果;

　　(6) 不帶RC 時，絕大多數(shù)的光耦的抵抗群脈沖的能力都低于500V;基本上無法達(dá)到CE 的標(biāo)準(zhǔn)。為此，設(shè)計人員必須改變電路結(jié)構(gòu)和元件參數(shù)，方可滿足客戶的要求和C E 標(biāo)準(zhǔn)。實際應(yīng)用證明，電容C 的介質(zhì)損耗角和其溫度特性對吸收電路影響較大。電阻R 除它的功率和熱穩(wěn)定參數(shù)外，它的阻值對E M C 的性能影響也較大。通常C選用10 — 22nf，而R 通常用10 — 100 歐姆;

　　(7)光耦阻斷電壓的高低與它的抵抗群脈沖的能力的強(qiáng)弱沒有必然的聯(lián)系。但可控硅阻斷電壓的高低與抵抗浪涌電壓的能力的強(qiáng)弱有較大關(guān)系。

　　6 存在的問題

　　由于光耦耐脈沖沖擊的電性能不一，S S R 繼電器接入電機(jī)正反轉(zhuǎn)線路，以及干擾電壓的存在( 可用示波器觀看) ，S S R 會誤導(dǎo)通，以至燒毀。過零的繼電器也同樣如此。理論上干擾電壓是反電勢和負(fù)載電壓之和的根號2 倍，但實際上干擾電壓可達(dá)到負(fù)載電壓的3-5 倍，有時達(dá)到10 倍。原因是電路的分布參數(shù)產(chǎn)生了LC 并聯(lián)諧振。雖然諧振電壓的能量較小，高峰時持續(xù)的時間只有微秒級，但會使SSR 誤導(dǎo)通，即光耦失效。因此，尚待進(jìn)一步探討。