| 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT） | ||
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IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做絕緣柵極雙極晶體管。這種器件具有MOS門極的 | ||
| 高速開(kāi)關(guān)性能和雙極動(dòng)作的高耐壓、大電流容量的兩種特點(diǎn)。其開(kāi)關(guān)速度可達(dá)1mS，額定電流密度100A/cm2， | ||
| 電壓驅(qū)動(dòng)，自身?yè)p耗小。其符號(hào)和波形圖如下圖所示。 | ||
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| IGBT可以耐高壓、大電流，常以一個(gè)單元、二個(gè)單元、六個(gè)單元裝在一個(gè)芯片上，下圖給出一、二、六單元在一個(gè)硅片上的等效電路。 | ||
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
2009年12月10日 14:24 m.sdkjxy.cn 作者：佚名 用戶評(píng)論（0）
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