絕緣柵型場效應管是一種利用半導體表面的電場效應，由感應電荷的多少改變導電溝道來控制漏極電流的器件，它的柵極與半導體之間是絕緣的，其電阻大于1000000000Ω。
　　 增強型：VGS=0時，漏源之間沒有導電溝道，在VDS作用下無iD。耗盡型：VGS=0時，漏源之間有導電溝道，在VDS作用下iD。

1. 結構和符號（以N溝道增強型為例）
　　在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。

N溝道絕緣柵型場效應管結構動畫

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其他MOS管符號

2. 工作原理（以N溝道增強型為例）

(1) VGS=0時，不管VDS極性如何，其中總有一個PN結反偏，所以不存在導電溝道。
VGS =0， ID =0

VGS必須大于0
管子才能工作。

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(2) VGS>0時，在Sio2介質中產(chǎn)生一個垂直于半導體表面的電場，排斥P區(qū)多子空穴而吸引少子電子。當VGS達到一定值時P區(qū)表面將形成反型層把兩側的N區(qū)溝通，形成導電溝道。

VGS >0→g吸引電子→反型層→導電溝道
VGS↑→反型層變厚→ VDS ↑→ID↑

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(3) VGS≥VT時而VDS較小時：
　　　VDS↑→ID ↑

VT：開啟電壓，在VDS作
用下開始導電時的VGS°
VT = VGS —VDS

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(4) VGS>0且VDS增大到一定值后，靠近漏極的溝道被夾斷，形成夾斷區(qū)。
VDS↑→ID 不變

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