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總的來(lái)說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能夠?qū)щ姷腇ET。
這兩種類型的FET各有其特點(diǎn)和用途。一般，增強(qiáng)型FET在高速、低功耗電路中很有使用價(jià)值;并且這種器件在工作時(shí)，它的柵偏電壓的極性與漏極電壓的相同，則在電路設(shè)計(jì)中較為方便。
(1)MOSFET：
對(duì)于Si半導(dǎo)體器件，由于Si/SiO2界面上電荷(多半是正電荷——Na+沾污所致)的影響，使得n型半導(dǎo)體表面容易產(chǎn)生積累層，而p型半導(dǎo)體表面容易反型(即出現(xiàn)表面反型層)，所以比較容易制造出p溝道的增強(qiáng)型MOSFET(E-MOSFET)，而較難以制作出n溝道的E-MOSFET。正因?yàn)槿绱耍试谠缙诠に囁綏l件下，常常制作的是p溝道的E-MOSFET。
當(dāng)然，隨著工藝技術(shù)水平的提高，現(xiàn)在已經(jīng)能夠很好地控制半導(dǎo)體的表面態(tài)以及表面電荷，從而就能夠方便地制作出n溝道、或者p溝道的D-MOSFET或者E-MOSFET，以適應(yīng)各種應(yīng)用的需要。
MOSFET的導(dǎo)電是依靠表面溝道來(lái)進(jìn)行的，而在0柵偏壓下能否產(chǎn)生溝道，則與半導(dǎo)體襯底的摻雜濃度直接有關(guān)。若采用較低摻雜濃度的襯底，就可以獲得D-MOSFET;采用較高摻雜濃度的襯底，就可以獲得E-MOSFET。
(2)JFET：
對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)，最常見(jiàn)到的是耗盡型JFET(D-JFET);一般，不使用增強(qiáng)型JFET(E-JFET)。這主要是由于長(zhǎng)溝道E-JFET在使用時(shí)較難以產(chǎn)生出導(dǎo)電的溝道、從而導(dǎo)通性能不好的緣故。不過(guò)，由于高速、低功耗電路中應(yīng)用的需要，有時(shí)也需要采用E-JFET。
JFET導(dǎo)電的溝道在體內(nèi)。這兩種晶體管在工藝和結(jié)構(gòu)上的差別主要在于其溝道區(qū)的摻雜濃度和厚度。D-JFET的溝道的摻雜濃度較高、厚度較大，以致于柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓不能把溝道完全耗盡;而E-JFET的溝道的摻雜濃度較低、厚度較小，則柵pn結(jié)的內(nèi)建電壓即可把溝道完全耗盡。
但是，對(duì)于短溝道E-JFET，情況則有所不同，因?yàn)檫@種晶體管的漏極電壓可以作用到源極附近，使得溝道中的勢(shì)壘降低，所以能夠形成導(dǎo)電溝道。這種E-JFET從本質(zhì)上來(lái)說(shuō)也就是靜電感應(yīng)晶體管。
(3)MESFET：
金屬柵極半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)是通過(guò)柵極Schottky勢(shì)壘下面耗盡層厚度的變化來(lái)控制導(dǎo)電溝道寬度、并從而控制輸出源-漏電流的。
MESFET的導(dǎo)電溝道是金屬柵極下面的未被耗盡的半導(dǎo)體層——溝道層。如果溝道層的摻雜濃度較高、厚度較大，則在0柵偏壓下，柵極Schottky勢(shì)壘的內(nèi)建電壓不足以耗盡整個(gè)溝道層，即存在溝道，這就是耗盡型MESFET(D-MESFET);相反，如果溝道層的摻雜濃度較低、厚度較薄，則在0柵偏壓下，柵極Schottky勢(shì)壘的內(nèi)建電壓就可以耗盡整個(gè)溝道層，即不存在溝道，這就是增強(qiáng)型MESFET(E-MESFET)。
(4)HEMT：
高電子遷移率晶體管(HEMT)是利用調(diào)制摻雜突變異質(zhì)結(jié)中的二維電子氣(2-DEG)——高遷移率的二維電子來(lái)工作的，導(dǎo)電溝道也就是2-DEG薄層?？刂?-DEG的濃度(面密度)，即可控制輸出源-漏電流的大小。在0柵偏壓下，有否2-DEG，也就是耗盡型與增強(qiáng)型器件的根本區(qū)別。
在HEMT中，2-DEG出現(xiàn)在突變的調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)中，寬禁帶半導(dǎo)體一邊摻有施主雜質(zhì)，窄禁帶半導(dǎo)體一邊不摻雜(即為本征半導(dǎo)體)。對(duì)于GaAs體系的HEMT，寬禁帶半導(dǎo)體是n型AlGaAs，窄禁帶半導(dǎo)體是i-GaAs;金屬柵極的下面就是n型AlGaAs層——稱為頂層，它們形成Schottky勢(shì)壘(勢(shì)壘高度一般為1eV左右)。如果n型AlGaAs頂層的摻雜濃度適當(dāng)高、厚度適當(dāng)大，則在0柵偏壓下就會(huì)出現(xiàn)2-DEG，因此是耗盡型FET。但是，如果n型AlGaAs頂層的摻雜濃度較低、厚度較薄，則在Schottky勢(shì)壘的內(nèi)建電壓作用下即將耗盡2-DEG，即Schottky勢(shì)壘可伸入到i-GaAs層，則HEMT在0柵偏壓下不會(huì)導(dǎo)電，因此是增強(qiáng)型FET?？傊?，對(duì)于HEMT，主要是控制摻雜寬禁帶半導(dǎo)體層的摻雜濃度和厚度。
但是，如果HEMT所采用的調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)是極性很大的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)，那么情況將有所不同。譬如n+-Al異質(zhì)結(jié)，由于其中的高遷移率2-DEG主要是由極化效應(yīng)中產(chǎn)生出來(lái)的，因此，有時(shí)在Al控制層中即使不摻雜，也能夠得到大量的2-DEG(可高達(dá)10-2)，這時(shí)的2-DEG面密度將主要決定于極化效應(yīng)的強(qiáng)度。