在一般較低性能的三相電壓源逆變器中，各種與電流相關(guān)的性能控制，通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，如變頻器中的自動轉(zhuǎn)矩補(bǔ)償、轉(zhuǎn)差率補(bǔ)償?shù)?。同時，這一檢測結(jié)果也可以用來完成對逆變單元中IGBT實現(xiàn)過流保護(hù)等功能。因此在這種逆變器中，對IGBT驅(qū)動電路的要求相對比較簡單，成本也比較低。
TLP250包含一個GaAlAs光發(fā)射二極管和一個集成光探測器，8腳雙列封裝結(jié)構(gòu)。適合于IGBT或電力MOSFET柵極驅(qū)動電路。表1給出了其工作時的真值表。
表1 ?TLP250工作時的真值表
TLP250的典型特征
1）輸入閾值電流（IF）：5mA（最大）；
3）電源電壓（VCC）：10～35V；
4）輸出電流（IO）：±0.5A（最?。?；
5）開關(guān)時間（tPLH/tPHL）：0.5μs（最大）；
6）隔離電壓：2500Vpms（最?。?。
TLP250管腳排列（俯視圖）
TLP250電氣參數(shù)
極限工作范圍
建議工作條件
電特性
開關(guān)特性
TLP250的使用特點(diǎn)：
①TLP250輸出電流較小，對較大功率IGBT實施驅(qū)動時，需要外加功率放大電路；
②由于流過IGBT的電流是通過其他電路檢測來完成的，而且僅僅檢測流過IGBT的電流，這就有可能對于IGBT的使用效率產(chǎn)生一定的影響，比如IGBT在安全工作區(qū)時，有時出現(xiàn)的提前保護(hù)等；
③要求控制電路和檢測電路對于電流信號的響應(yīng)要快，一般由過電流發(fā)生到IGBT可靠關(guān)斷應(yīng)在10μS以內(nèi)完成；
④當(dāng)過電流發(fā)生時，TLP250得到控制器發(fā)出的關(guān)斷信號，對IGBT的柵極施加一負(fù)電壓，使IGBT硬關(guān)斷。這種主電路的du/dt比正常開關(guān)狀態(tài)下大了許多，造成了施加于IGBT兩端的電壓升高很多，有時就可能造成IGBT的擊穿。
TLP250測試電路
TLP250應(yīng)用電路
（一）由集成電路TLP250構(gòu)成的驅(qū)動器電路圖
（二）電路應(yīng)用
在圖1-18中，V1和V2的選取與用于IGBT驅(qū)動的柵極電阻有直接的關(guān)系，例如，電源電壓為24V時，TR1和TR2的Icmax≥24/Rg。
TLP250驅(qū)動IGBT時，由于TLP250不具備過流保護(hù)功能，當(dāng)IGBT過流時，通過控制信號關(guān)斷IGBT，IGBT中電流的下降很陡，且有一個反向的沖擊。這將會產(chǎn)生很大的di/dt和開關(guān)損耗，而且對控制電路的過流保護(hù)功能要求很高。
圖1-17用于額定值1200V/50A以下IGBT的驅(qū)動
圖1-18用于額定值1200V/50A以上IGBT的驅(qū)動
TLP250封裝尺寸
