新型軟開關(guān)功率因數(shù)電路分析
隨著功率因數(shù)技術(shù)的發(fā)展,越來越多的功率因數(shù)校正技術(shù)及其拓撲被提了出來,現(xiàn)有的有單級功率因數(shù)校正,兩級功率因數(shù)校正。按相數(shù)分可分為單相的和三相的。不同的拓撲或多或少的存在這樣或者那樣的問題。隨著提出了綠色化的同時,人們也越來越多的追求高效率,高功率密度,低EMI,小型化的電源,因此,本文所要提出的新型軟開關(guān)功率因數(shù)電路就應(yīng)運而生。
1 主電路拓撲




下面對電路的各個時段的工作過程進行一一分析




低通態(tài)電阻的功率MOS器件,此問題可得到改善。有很好的應(yīng)用前景,適應(yīng)了高效率,低EMI,小體積,綠色化的發(fā)展趨勢。
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