采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品

恩智浦將在2010年底前推出超過(guò)50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)良的動(dòng)態(tài)范圍，專為滿足現(xiàn)實(shí)生活中無(wú)線、寬帶通信、網(wǎng)絡(luò)和多媒體市場(chǎng)領(lǐng)域的高頻應(yīng)用需要而設(shè)計(jì)。

恩智浦目前已有10多種硅鍺產(chǎn)品上市，采用其QUBIC4技術(shù)開(kāi)發(fā)并售出的射頻產(chǎn)品已超過(guò)2500萬(wàn)件。此銷售業(yè)績(jī)彰顯了恩智浦QUBIC4工藝的技術(shù)成熟度以及行業(yè)對(duì)SiGe：C工藝實(shí)現(xiàn)GaAs技術(shù)性能的認(rèn)可度。 

恩智浦創(chuàng)新的高性能SiGe：C QUBiC4工藝可以讓無(wú)線設(shè)備制造商增加更多設(shè)備功能，同時(shí)更節(jié)省空間、更節(jié)約成本、性能更可靠以及制造更方便。QUBiC4技術(shù)加快了從GaAs技術(shù)向硅芯片技術(shù)的轉(zhuǎn)移速度，實(shí)現(xiàn)了高技術(shù)含量,低噪聲特性和IP可用性。恩智浦提供了三種不同的QUBiC4工藝：QUBiC4+，針對(duì)小于5GHz應(yīng)用的硅基工藝，如中功率放大器；QUBiC4X，一種0.25µm SiGe：C 工藝，大約6年前推出，常用于高達(dá)30GHz和極低噪聲應(yīng)用，如GPS；以及最新推出的0.25µm QUBiC4Xi SiGe：C工藝，特征頻率（Ft）超過(guò)200GHz，特別適合30GHz以上以及要求極低噪聲系數(shù)的應(yīng)用，例如VSAT和雷達(dá)應(yīng)用。

恩智浦的QUBiC4 SiGe：C技術(shù)擁有量產(chǎn)所需的完善IP和先進(jìn)的內(nèi)部制造工藝，可以提高整體射頻性能，降低器件成本，同時(shí)提供比砷化鎵(GaAs) 技術(shù)更高和更靈活的性能。憑借超過(guò)45年在射頻建模、設(shè)計(jì)和封裝方面的豐富經(jīng)驗(yàn)，恩智浦的QUBiC4技術(shù)將砷化鎵(GaAs)技術(shù)的高性能與硅基工藝的可靠度完善溶合在一起。隨著高速數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳輸和無(wú)線通信技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，恩智浦的QUBiC4技術(shù)將推動(dòng)傳統(tǒng)的砷化鎵(GaAs)技術(shù)解決方案不斷向前發(fā)展，實(shí)現(xiàn)更低成本、更高集成度和更多功能，同時(shí)滿足低功耗需求。

基于QUBiC4技術(shù)的產(chǎn)品涵蓋移動(dòng)平臺(tái)、個(gè)人導(dǎo)航設(shè)備、有源相控陣?yán)走_(dá)、衛(wèi)星DBS/-VSAT、電子計(jì)量、軟件無(wú)線電(SDR)技術(shù)、基站、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線鏈路以及無(wú)線局域網(wǎng)WLAN等廣闊領(lǐng)域，這些都是高頻和高集成度至關(guān)重要的領(lǐng)域。終端用戶的受益之處則在于手機(jī)變得更小巧,更輕便而功能卻不斷增加。

上市時(shí)間

2010年底之前將有50多種采用 SiGe：C 工藝的恩智浦產(chǎn)品面市，其中十多種產(chǎn)品已經(jīng)上市，包括GPS低噪聲放大器，如BGU7005；中等功率放大器，如BGA7124 ；以及本振(LO)發(fā)生器，如TFF1003HN。

其他40種新產(chǎn)品將在5月和年內(nèi)陸續(xù)發(fā)布，包括全新的第6代和第7代寬帶晶體管、低噪聲放大器、中等功率放大器、可變?cè)鲆娣糯笃骱捅菊?LO)發(fā)生器等。