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聯(lián)發(fā)科、展訊、聯(lián)芯:角力TD芯片
如果說當(dāng)前TD終端產(chǎn)業(yè)發(fā)展的阻力有哪些?待機(jī)時(shí)間短和售價(jià)偏高是一大障礙。與此直接相關(guān)的,便是上游TD芯片的高功耗和高成本。
1月19日,主流TD芯片供應(yīng)商之一,展訊通信有限公司(納斯達(dá)克:SPRD)在北京高調(diào)宣布,全球首款采用40納米工藝的TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片已研發(fā)成功,并正式投入商用。
據(jù)了解,目前聯(lián)芯科技、T3G、聯(lián)發(fā)科等主流TD芯片供應(yīng)商,基本采用65納米、甚至90納米工藝制程,其成本和功耗居高不下,一直是TD終端發(fā)展的一大阻力。
“采用40納米工藝的TD芯片,其功耗能降低30%,成本降低50%。”在展訊董事長李力游看來,一旦40納米芯片規(guī);耐葡蛏逃檬袌(chǎng),TD終端產(chǎn)品的制造門檻和成本有望大幅降低。
目前尚不知該款TD芯片的最終市場(chǎng)定價(jià)。但來自展訊內(nèi)部的多個(gè)渠道消息顯示,基于40納米工藝,手機(jī)成本可以做到與2.75G終端成本相當(dāng)——這意味著TD手機(jī)終端價(jià)格有望降到100美金以下。目前TD手機(jī)市場(chǎng)價(jià)至少在千元以上。
更為值得關(guān)注的是,TD上游芯片市場(chǎng)的格局,可能由此生變。
在目前的TD手機(jī)芯片市場(chǎng),聯(lián)芯科技(與聯(lián)發(fā)科合作TD芯片)和T3G兩家占據(jù)超過70%以上的市場(chǎng)份額,展訊份額約25%。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli中國研究總監(jiān)王陽認(rèn)為,隨著40納米TD芯片的推出,展訊的市場(chǎng)份額有望得到提升。
與此相關(guān)的一個(gè)產(chǎn)業(yè)背景是,聯(lián)芯科技與聯(lián)發(fā)科基于TD芯片的合作,早已出現(xiàn)裂痕。聯(lián)芯科技獨(dú)立研發(fā)的TD芯片已開始商用,而聯(lián)發(fā)科與傲世通合作的TD芯片也計(jì)劃于本季度正式上市。
可以預(yù)見,今年上半年TD芯片市場(chǎng)難免一場(chǎng)惡戰(zhàn)。
一位芯片設(shè)計(jì)公司高層分析,聯(lián)芯科技與聯(lián)發(fā)科的分道揚(yáng)鑣,讓各自的產(chǎn)品線都處在“左右互搏”的尷尬境地,而T3G的TD芯片成本偏高一直為其市場(chǎng)軟肋:“選在這個(gè)時(shí)點(diǎn)推出40納米TD芯片,展訊抓住了一個(gè)相對(duì)有利的時(shí)機(jī)。”
這正是展訊CEO李力游的“算盤”。據(jù)李力游透露,按照原定的研發(fā)計(jì)劃,展訊原本打算延續(xù)65納米的工藝制程,“但考慮到功耗和成本依舊偏高,即便推出65納米TD芯片,展訊在市場(chǎng)上也不占優(yōu)勢(shì)。”
基于此,展訊決定直接研發(fā)40納米工藝TD芯片。“盡管風(fēng)險(xiǎn)巨大,但時(shí)不我待。”一位展訊內(nèi)部人士如此形容TD芯片市場(chǎng)競(jìng)爭的急迫狀態(tài)。
事實(shí)上,各大TD芯片供應(yīng)商也在暗自角力。據(jù)了解,聯(lián)芯科技、T3G和聯(lián)發(fā)科,目前也有更高工藝制程的TD芯片研發(fā)計(jì)劃。“按照正常的研發(fā)周期測(cè)算,一般要在一年半到兩年時(shí)間。”李力游認(rèn)為,在TD芯片性價(jià)比上,“展訊將有至少領(lǐng)先一年的時(shí)間差。”
據(jù)悉,目前包括高通、博通在內(nèi),全球主流的3G芯片商用產(chǎn)品,一般集中在65納米工藝,少數(shù)產(chǎn)品達(dá)到45納米工藝。
最新消息顯示,包括青島海信、華為終端公司在內(nèi)的多家手機(jī)廠商,已經(jīng)開始采用展訊此款芯片,并通過了工信部的入網(wǎng)檢測(cè)和中國移動(dòng)的入庫檢測(cè)。“其最終的性能是否達(dá)到大規(guī)模商用化的要求,還有待市場(chǎng)檢驗(yàn)。”有業(yè)內(nèi)人士分析。
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