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日本東北大學(xué)采用噴墨法試制出CNT晶體管

作者：佚名  來源：m.sdkjxy.cn  發(fā)布時(shí)間：2010-3-20 9:01:43  [收 藏] [評 論]

日本東北大學(xué)采用噴墨法試制出CNT晶體管

　　日本東北大學(xué)金屬材料研究所低溫電子物性學(xué)研究部門副教授竹延大志的研究小組利用單層碳納米管（CNT），試制出了載流子遷移率為8.2cm2/Vs的薄膜晶體管（TFT）。其特點(diǎn)是在實(shí)現(xiàn)1.6~8.2 cm2/Vs遷移率的同時(shí)，導(dǎo)通/截止比高達(dá)104~105.一般情況下，CNT的載流子遷移率與導(dǎo)通/截止比存在此消彼長的關(guān)系（Trade-off），因此很難同時(shí)兼顧高載流子遷移率及高導(dǎo)通/截止比。這是因?yàn)镃NT內(nèi)既有半導(dǎo)體成分又有金屬成分的緣故。


　　此次晶體管的形成采用了噴墨法，通過精密控制CNT膜的密度，實(shí)現(xiàn)了比原來采用噴墨法制作的CNT晶體管還要高的載流子遷移率及導(dǎo)通/截止比。該公司介紹，通過采用印刷法，有助于削減制造成本。


　　此外，該產(chǎn)品還具有即使在曲率半徑為7.5mm的條件下彎曲，也不會(huì)發(fā)生特性變化的特點(diǎn)。

 
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