MIT的研究小組首先在硅表面照射極弱的電子束，形成微細(xì)的柱狀結(jié)構(gòu)。然后在該結(jié)構(gòu)上添加由兩種聚合物構(gòu)成的共聚合物，這樣，共聚合物便會按照柱狀結(jié)構(gòu)聚合。隨后使用等離子除去其中一種聚合物，就可以獲得含有硅的另一種聚合物的構(gòu)造。

　　MIT表示，原來的自組織方法需要通過在硅表面雕刻溝槽等復(fù)雜的前處理來準(zhǔn)備模板。而此次的新方法無需使用模板，提高了微細(xì)結(jié)構(gòu)的形成速度。如果改變兩種聚合物的配合比率、各自的長度、在硅表面形成的柱的形狀及配置的話，形成的構(gòu)造也會發(fā)生大幅變化。研究小組今后還將試制可實際工作的LSI,以及制作尺寸更小的構(gòu)造。

　　新方法的詳情已在英國科學(xué)雜志《Nature Nanotechnology》上刊載的論文“Complexself-assembled patterns using sparse commensurate templates withlocally varying motifs”中進行了介紹。

　　自組織是聚合物分子自然集結(jié)、形成規(guī)則性構(gòu)造的現(xiàn)象。在自然界，貝殼、雪的結(jié)晶以及牙齒的琺瑯質(zhì)等都是通過自組織現(xiàn)象形成的。利用自組織現(xiàn)象，與光刻等現(xiàn)有半導(dǎo)體制造方法相比，可制造出更精細(xì)、高密度且缺陷較少的元件。