美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領(lǐng)先的50納米(nil])制程技術(shù)的NAND閃存，這兌現(xiàn)了它們對(duì)快速提升技術(shù)領(lǐng)先曲線的承諾。樣品通過IM閃存技術(shù)公司(IMFlashTechnologies)制造，該公司為美光科技公司與英特爾公司合資創(chuàng)辦的研發(fā)制造企業(yè)。兩家公司目前正在試制4Gb設(shè)備，計(jì)劃2007年開
始大規(guī)模生產(chǎn)多種容量密度的50納米產(chǎn)品。

英特爾公司與美光科技公司將通過向5O納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)移來滿足對(duì)更高密度NAND閃存日益增長(zhǎng)的需求，該產(chǎn)品可廣泛用于計(jì)算和消費(fèi)電子應(yīng)用，如數(shù)字音樂播放器、移
動(dòng)存儲(chǔ)及手持通信設(shè)備等。

今年，美光科技公司與英特爾公司共同創(chuàng)辦了IM閃存技術(shù)公司(IMFT)，為雙方制造NAND閃存產(chǎn)品。自公司創(chuàng)辦以來，IMFT已大規(guī)模加強(qiáng)生產(chǎn)設(shè)備。美光科技公司目前通過它在博伊西的制造工廠為IMFT供應(yīng)NAND閃存，而且美光科技公司位于弗吉尼亞州馬納薩斯的300毫米工廠將在今年晚些時(shí)候投入生產(chǎn)，屆時(shí)將為IMFT供應(yīng)NAND。