隨著人們需要改善功率效率，延長電池供電的設(shè)備的工作時間，分析功率損耗及優(yōu)化電源效率的能力比以前變得更加關(guān)鍵。效率中一個關(guān)鍵因素是開關(guān)器件的損耗。本應(yīng)用指南將概括介紹這些測量，以及使用示波器和探頭進(jìn)行更好、更可重復(fù)的測量的部分技巧。典型開關(guān)式電源的效率可能約為 87%，也就是 13%的輸入功率在電源內(nèi)部耗散了，主要以廢熱的形式。在這些損耗中，很大一部分耗散在開關(guān)器件扣，通常是 MOSFETs 或 IGBTs。

通過文檔，可了解以下內(nèi)容：

• MOSFET 漏極和源極寄生電阻耗散功率
• 提供測量開關(guān)損耗有兩種方法
• 進(jìn)行準(zhǔn)確的、可重復(fù)的功率測量六個關(guān)鍵步驟
• 測量開關(guān)損耗 的手動設(shè)置和內(nèi)置測量
• 使用功率分析軟件自動進(jìn)行測量