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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機(jī)等方案開(kāi)發(fā)

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2022-02-24 01:07

    9.6.5 高純化學(xué)試劑∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

    High-purityChemicals撰稿人:安集微電子科技(上海)股份有限公司陳東強(qiáng)http://page.anjimicro.com審稿人:浙江大學(xué)楊德仁https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012
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  • 發(fā)布了文章 2022-02-23 01:07

    8.2.2 分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

    8.2.2分裂準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的MOS靜電學(xué)8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.2.1MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作
    MOS
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  • 發(fā)布了文章 2022-02-23 01:05

    9.6.4 石英制品∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

    QuartzProducts撰稿人:北京凱德石英股份有限公司張忠恕審稿人:浙江大學(xué)楊德仁https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備,大量裝機(jī),提供Si
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  • 發(fā)布了文章 2022-02-22 01:09

    CPLD.AGM:AG256SL100 PINtoPIN EPM240T100

    AG256CPLDsisthelowcostCPLDs.Thisinstant-on,non-volatileCPLDfamilytargetsgeneral-purposeandlow-densitylogic.Thelogicdensityis256LogicElementswithLQFP-100package.Low-Costandlow-power
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  • 發(fā)布了文章 2022-02-22 01:08

    8.2.1 MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

    8.2.1MOS靜電學(xué)回顧8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.1.4比通態(tài)電阻∈《碳化硅技術(shù)
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  • 發(fā)布了文章 2022-02-22 01:07

    9.6.3 硅片精密加工材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

    PreciseProcessingMaterialsforSiliconWafers撰稿人:安集微電子科技(上海)股份有限公司王淑敏http://page.anjimicro.com審稿人:浙江大學(xué)楊德仁https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)
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  • 發(fā)布了文章 2022-02-21 01:09

    AG32VF407VGT6 PINtoPIN STMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義

    AG32VF407VGT6(100pin)MaxSpeed:248MHz鏈接:AGMMCU:AG103/107/205/303/407,功能和管腳完全兼容STM32F103/107/205/303/407PINtoPINSTMcu、GDMcuSTMcuSTM32F103VDT6STM32F103VET6STM32F103VFT6STM32F103VGT6ST
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  • 發(fā)布了文章 2022-02-21 01:08

    8.1.6 功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

    8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第8章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.1.4比通態(tài)電阻∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》8.1.3飽和漏極電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-02-21 01:06

    9.6.2 高純特種氣體∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

    點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們High-puritySpecialGases撰稿人:江蘇南大光電材料股份有限公司王陸平http://www.natachem.com審稿人:浙江大學(xué)楊德仁https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).AD
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  • 發(fā)布了文章 2022-02-20 01:09

    AG32VF407RGT6 PINtoPIN STMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義

    AG32VF407RGT6(64pin)MaxSpeed:248MHz鏈接:AGMMCU:AG103/107/205/303/407,功能和管腳完全兼容STM32F103/107/205/303/407PINtoPINSTMcu、GDMcuSTMcuSTM32F103RDT6STM32F103RET6STM32F103RFT6STM32F103RGT6STM
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聯(lián)系人:張涵清

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