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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機(jī)等方案開發(fā)

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2022-03-07 01:06

    9.7.2 塑封材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    PlasticPackagingMaterials撰稿人:中國科學(xué)院化學(xué)研究所楊士勇http://www.iccas.ac.cn審稿人:中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封裝結(jié)構(gòu)材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.82301
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  • 發(fā)布了文章 2022-03-06 01:08

    8.2.11 氧化層可靠性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    8.2.11氧化層可靠性8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-03-06 01:06

    9.7.1 引線框架材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    LeadFrameMaterials撰稿人:寧波康強(qiáng)電子股份有限公司馮小龍http://www.kangqiang.com審稿人:中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封裝結(jié)構(gòu)材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全
    810瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2022-03-05 01:07

    8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-03-05 01:06

    9.6.14 貴金屬靶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    PreciousMetalTarget撰稿人:寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人:浙江大學(xué)馬向陽https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切
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  • 發(fā)布了文章 2022-03-04 01:07

    8.2.10.2 反型層遷移率的器件相關(guān)定義∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    8.2.10.2反型層遷移率的器件相關(guān)定義8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.8UMOS的先進(jìn)設(shè)計(jì)∈《碳化硅技術(shù)基
    1.1k瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2022-03-04 01:06

    9.6.13 銅靶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    CopperTarget撰稿人:寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人:浙江大學(xué)馬向陽https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生
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  • 發(fā)布了文章 2022-03-03 01:09

    8.2.10.1 影響反型層遷移率的機(jī)理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.2.9閾值電壓控制∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.8UMOS的先進(jìn)設(shè)計(jì)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》8.2.
    SiC
    1.2k瀏覽量
  • 發(fā)布了文章 2022-03-03 01:07

    9.6.12 鉭靶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    TitaniumTarget撰稿人:寧波江豐電子材料股份有限公司姚力軍http://www.kfmic.com審稿人:浙江大學(xué)馬向陽https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提
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  • 發(fā)布了文章 2022-03-02 01:08

    國產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列

    EQ6GL9可替換器件XILINX/賽靈思:XC6SLX4、XC6SLX9Altera:EP4CE6、EP4CE10Lattice:iCE40LP/HX/LM家族、iCE40Ultra/UltraLite家族、iCE40UltraPlus家族全型號(hào)器件詳情鏈接:FPGA.EQ6GL9小型低功耗百萬門級(jí)FPGA替換XILINX/賽靈思:XC6SLX4、XC6S
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企業(yè)信息

聯(lián)系人:張涵清

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