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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機等方案開發(fā)

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動態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2022-01-13 01:06

    9.4.4 砷化鎵熱處理和晶片加工∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-12 01:08

    6.3.5.1 界面態(tài)分布∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    6.3.5.1界面態(tài)分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.7電導(dǎo)法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-12 01:06

    9.4.3 砷化鎵單晶的制備∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-11 01:18

    6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    6.3.4.8其他方法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.3.4.7電導(dǎo)法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.5高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理—
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-11 01:17

    9.4.2 集成電路對化合物半導(dǎo)體材料的要求∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-10 01:18

    6.3.4.7 電導(dǎo)法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    6.3.4.7電導(dǎo)法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.5高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.3確定表面勢、6.3.4.4Ter
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-10 01:16

    9.4.1 化合物半導(dǎo)體材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-09 01:19

    6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.3.4.5高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.3確定表面勢、6.3.4.4Terman法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-09 01:18

    9.3.14 誘生微缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備,大量裝機,提供SiC晶圓、GaN基
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-08 01:24

    6.3.4.5 高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    6.3.4.5高低頻方法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.3.4.3確定表面勢、6.3.4.4Terman法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.2MOS電容等效電路∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3
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聯(lián)系人:張涵清

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