動(dòng)態(tài)
-
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 15:42
PTAC210802FC-V1高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào):PTAC210802FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能:2170兆赫 輸出功率: P3dB 75 W 效率 :48 %187瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 15:28
GTVA355001EC氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào):GTVA355001EC 脈沖寬度:300 μs 占空比:10% 輸出功率:P3dB = 500 W232瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 14:41
GTVA220701FA-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào):GTVA220701FA-V1 輸出功率:P3dB 45 W 效率: 60.7% 增益: 21.6 分貝208瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 14:28
GTVA212701FA-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào):GTVA212701FA-V2 占空比:10% 輸出功率: P3dB 300 W 效率: 68.5%208瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-12 15:04
GTVA126001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào):GTVA126001EC-V1 占空比;:10% 輸出功率(P3dB):600W 排水效率 :65%;232瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-12 09:15
GTVA123501FA-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào):GTVA123501FA-V1 輸出功率:350W; 排水效率 :70 %; 增益:18 分貝384瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-11 15:20
GTVA107001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào):GTVA107001EC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能:1030兆赫 脈沖寬度:128 μs 占空比:10%323瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-11 14:40
GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào):GTRA412852FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能:960 – 1215 兆赫 脈沖寬度:128 μs 占空比:10%232瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-11 14:26
GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào):GTRA412852FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能:4100兆赫 P3dB 時(shí)的輸出功:235 W 增益:10 分貝194瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-11 14:18
GTRA384802FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào):GTRA384802FC-V1 峰值 P3dB: 280 W 典型的脈沖連續(xù)波性能:3800兆赫 輸出功率: 400 瓦438瀏覽量