動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 15:42
PTAC210802FC-V1高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：PTAC210802FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：2170兆赫 輸出功率： P3dB 75 W 效率 ：48 %187瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 15:28
GTVA355001EC氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：GTVA355001EC 脈沖寬度：300 μs 占空比：10% 輸出功率：P3dB = 500 W232瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 14:41
GTVA220701FA-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：GTVA220701FA-V1 輸出功率：P3dB 45 W 效率： 60.7% 增益： 21.6 分貝208瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 14:28
GTVA212701FA-V2氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：GTVA212701FA-V2 占空比：10% 輸出功率： P3dB 300 W 效率： 68.5%208瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-12 15:04
GTVA126001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：GTVA126001EC-V1 占空比；：10% 輸出功率（P3dB）：600W 排水效率 ：65%；232瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-12 09:15
GTVA123501FA-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：GTVA123501FA-V1 輸出功率：350W； 排水效率 ：70 %； 增益：18 分貝384瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-11 15:20
GTVA107001EC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：GTVA107001EC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：1030兆赫 脈沖寬度：128 μs 占空比：10%323瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-11 14:40
GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：GTRA412852FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：960 – 1215 兆赫 脈沖寬度：128 μs 占空比：10%232瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-11 14:26
GTRA412852FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：GTRA412852FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：4100兆赫 P3dB 時(shí)的輸出功：235 W 增益：10 分貝194瀏覽量 -
發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-11 14:18
GTRA384802FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產(chǎn)品型號(hào)：GTRA384802FC-V1 峰值 P3dB： 280 W 典型的脈沖連續(xù)波性能：3800兆赫 輸出功率： 400 瓦438瀏覽量
