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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 18:10

  PTGA090304MD-V2 寬帶 LDMOS 集成功率放大器 2 X 15 W CREE

  

  產(chǎn)品型號：PTGA090304MD-V2 典型的 CW 性能：960 MHz，50 V P1dB 時的輸出功：45 dBm P3dB 時的輸出功：45.9 dBm

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 18:01

  PTFC270101M-V1 大功率射頻 LDMOS FET 10 W CREE

  

  產(chǎn)品型號：PTFC270101M-V1 輸出功率@P1dB ：10 W 增益： 20 分貝 效率：60%

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 17:50

  PXAC210552FC-V1 高功率射頻 LDMOS FET CREE

  

  產(chǎn)品型號：PXAC210552FC-V1 P1dB：35 W 典型值 P1dB 時的輸出功：27 W 增益 ：17 分貝

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 17:27

  PXAD184218FV-V1 大功率射頻 LDMOS FET 420 W CREE

  

  產(chǎn)品型號：PXAD184218FV-V1 峰值 P1dB：290 W 典型值 P3dB 時的輸出功：420 W 效率： 62%

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 17:16

  PXAE213708NB-V1 LDMOS Doherty 晶體管 CREE

  

  產(chǎn)品型號：PXAE213708NB-V1 主 P3dB ：160 W Typ 峰值 P3dB典型值：290 W 典型的脈沖連續(xù)波性能：2180兆赫

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 17:06

  PXAE183708NB-V1 大功率射頻 LDMOS FET 320 W CREE

  

  產(chǎn)品型號：PXAE183708NB-V1 峰值 P3dB：315 W 典型值 P1dB 時的輸出功：320 W P3dB 時的輸出功：430 W

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 16:57

  PXFC191507FC-V1 大功率射頻 LDMOS FET 150 W

  

  產(chǎn)品型號：PXFC191507FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：1990 兆赫 輸出功率：P1dB = 140 W 效率：54%

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 16:49

  PXFE211507FC-V1 大功率射頻 LDMOS FET

  

  產(chǎn)品型號：PXFE211507FC-V1 典型的脈沖連續(xù)波性能：2140兆赫 P1dB時的輸出功率：172W P3dB輸出功率：208 W

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 16:37

  WSGPA01-V1 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)

  

  產(chǎn)品型號：WSGPA01-V1 工作頻率：：高達 5 GHz P3dB：：高達 10 W 電源電壓：：高達 50 V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-07-14 16:03

  PTFC210202FC-V1 大功率射頻 LDMOS FET

  

  產(chǎn)品型號：PTFC210202FC-V1 典型的連續(xù)波性能：2170兆赫 組合輸出：：P1dB = 28 W 時的輸出功率 增益：20.9 分貝

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