動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-06-13 11:40

  電子元件市場展望樂觀，下半年將迎來強勁增長?

  

  根據(jù)最新的ECST(電子元件狀態(tài)調(diào)查)報告，2024年下半年電子元件銷售前景樂觀，預計將實現(xiàn)強勁增長。盡管5月份的調(diào)查顯示半導體、被動元件和機電元件的銷售信心受到一定打擊，但6月的展望顯示市場將迎來積極反彈。在5月份的調(diào)查中，半導體領(lǐng)域的銷售信心得分下滑明顯，跌幅超過18點。被動元件和機電元件雖然跌幅較小，但也呈現(xiàn)出市場下滑的趨勢。然而，這種短暫的低迷并未持

  半導體 機電產(chǎn)品 電子元器件

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• 發(fā)布了文章 2024-06-13 11:38

  一文讀懂MOSFET開關(guān)損耗介紹

  

  MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道，但通道電阻相對較高。通道上的電壓和通過通道的電流都很大，導致晶體管內(nèi)的功耗很高。在開關(guān)模式下，柵源電壓要么低到足以阻止電流流動，要么高到足以使FET進入“完全增強”狀態(tài)，此時通道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管像一個閉合開關(guān)：即使有大電流通過通道，

  MOSFET 開關(guān)損耗 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-06-12 11:04

  全球掀起8英寸SiC投資熱潮，半導體產(chǎn)業(yè)迎來新一輪技術(shù)升級

  

  隨著全球半導體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期，8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球，各大半導體廠商紛紛加大投入，積極布局這一新興產(chǎn)業(yè)。8英寸SiC晶圓相較于傳統(tǒng)的6英寸晶圓，具有更高的生產(chǎn)效率和更低的成本。據(jù)行業(yè)專家分析，從6英寸升級到8英寸，雖然單片晶圓成本有所增加，但由于每片晶圓中可用的裸片數(shù)量大幅增加，產(chǎn)量更高，最終

  SiC 半導體 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2024-06-12 11:03

  功率半導體技術(shù)如何助力節(jié)碳減排

  

  相信大家都知道，全球氣候變暖問題日益嚴重，節(jié)碳減排已經(jīng)成為了全球的共同使命。而功率半導體技術(shù)，作為電子設(shè)備的核心技術(shù)之一，在節(jié)碳減排方面發(fā)揮著重要作用。今天我們就來聊聊功率半導體技術(shù)如何助力節(jié)碳減排。01首先，我們來簡單了解一下什么是功率半導體。功率半導體是指用于高功率轉(zhuǎn)換和控制的半導體器件，常見的有絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、晶閘管(SCR)、場效應(yīng)晶

  功率半導體 晶體管 電子設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2024-06-11 10:50

  臺積電2024年5月營收穩(wěn)健，持續(xù)領(lǐng)跑半導體行業(yè)

  

  在全球半導體行業(yè)復雜多變的市場環(huán)境下，臺積電依然保持強勁的增長勢頭。據(jù)臺積電于6月7日公布的2024年5月營收報告，公司當月實現(xiàn)凈營收約為2,296.2億新臺幣，這一成績雖較4月略有下滑，但同比去年同期增長顯著，展現(xiàn)了其強大的市場適應(yīng)能力和技術(shù)實力。盡管面臨全球經(jīng)濟波動和行業(yè)周期性挑戰(zhàn)，臺積電在2024年前五個月的累計總營收仍高達10,582.9億新臺幣，較

  半導體 臺積電 智能手機

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• 發(fā)布了文章 2024-06-11 10:49

  突破碳化硅(SiC)和超結(jié)電力技術(shù)的極限

  

  PowerMasterSemiconductor(PMS)是一家韓國半導體器件公司，團隊在電力半導體行業(yè)擁有超過二十年的經(jīng)驗，他們專注于開發(fā)和生產(chǎn)先進的碳化硅(SiC)二極管和MOSFET，以及超結(jié)(SJ)MOSFET，今天來聊聊他們創(chuàng)新的eMOSE7和eSiCMOSFET技術(shù)。eMOSE7超結(jié)技術(shù)提供了快速的開關(guān)性能，同時具有低開關(guān)噪音和過沖尖峰。這提高了

  MOS 半導體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-06-07 11:19

  全球半導體產(chǎn)業(yè)加速布局，兩大巨頭投資數(shù)十億美元建設(shè)新工廠

  

  在全球半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)回暖的背景下，兩大半導體巨頭意法半導體(ST)和恩智浦半導體(NXP)近期分別宣布了重大投資計劃，以加速在碳化硅(SiC)和半導體晶圓制造領(lǐng)域的布局。5月31日，意法半導體在其官網(wǎng)上正式宣布，將于意大利卡塔尼亞建設(shè)全球首個一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園。該產(chǎn)業(yè)園將作為8英寸碳化硅功率器件和模塊的大規(guī)模制造及封測綜合基地，實現(xiàn)碳化硅制造的全面垂直整合。

  SiC 半導體 意法半導體

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• 發(fā)布了文章 2024-06-07 11:17

  半導體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件的比較

  

  半導體基礎(chǔ)功率模塊因其相對于傳統(tǒng)離散元件的諸多優(yōu)勢而變得越來越突出。在不斷發(fā)展的功率電子領(lǐng)域，選擇半導體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件對效率、可靠性和整體系統(tǒng)性能有著顯著的影響。半導體基礎(chǔ)功率模塊的優(yōu)勢半導體基礎(chǔ)功率模塊將多個組件集成到單一封裝中，與離散元件相比設(shè)計更為緊湊。模塊可以輕松集成從改善開關(guān)行為的電容器到電流測量的分流器和減少雜散電感的組件。圖1：帶有集成

  分流器 功率模塊 半導體

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• 發(fā)布了文章 2024-06-06 11:20

  阿斯麥(ASML)與比利時微電子(IMEC)聯(lián)合打造的High-NA EUV光刻實驗室正式啟用

  

  近日，全球領(lǐng)先的半導體制造設(shè)備供應(yīng)商阿斯麥(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)共同宣布，位于荷蘭費爾德霍芬的High-NAEUV光刻實驗室正式啟用。這一里程碑式的事件標志著雙方合作研發(fā)的高數(shù)值孔徑(HighNA)極紫外(EUV)光刻技術(shù)即將進入大批量生產(chǎn)階段，預計將在2025至2026年間實現(xiàn)廣泛應(yīng)用。該實驗室的核心設(shè)備是一臺名為TWINSCANE

  ASML IMEC 光刻

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• 發(fā)布了文章 2024-06-06 11:19

  使用碳化硅模塊的充電設(shè)備設(shè)計

  

  碳化硅(SiC)功率模塊因其高效能和可靠性，正在迅速成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備中不可或缺的組件。MPRA1C65-S61是一款先進的SiC模塊，特別適用于各種充電設(shè)備的設(shè)計中。本文將探討使用MPRA1C65-S61SiC模塊設(shè)計充電設(shè)備的優(yōu)勢、設(shè)計注意事項和實際應(yīng)用案例。碳化硅模塊的優(yōu)勢高效能和低損耗:SiC模塊相較于傳統(tǒng)的硅(Si)基模塊，具有更低的導通電阻和更

  SiC 充電設(shè)備 碳化硅

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