動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-04-22 13:51

  氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發(fā)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

  

  氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢也推動(dòng)了它在多樣化應(yīng)用中的電源轉(zhuǎn)換使用，例如數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動(dòng)汽車。在本文中，我們將探討創(chuàng)建GaN功率集成電路(ICs)的一些優(yōu)勢和挑戰(zhàn)。01創(chuàng)造GaN功率IC的動(dòng)機(jī)基于硅的功率管理集成電路(PMICs)被

  IC 氮化鎵 氮化鎵電源 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2024-04-19 13:59

  汽車電子化潮流推動(dòng)磁傳感器市場蓬勃發(fā)展

  

  隨著現(xiàn)代汽車行業(yè)迅猛發(fā)展，汽車“三化”特征——智能化、電動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò)化日益顯著，車輛的電子功能不斷豐富，例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、防抱死剎車系統(tǒng)(ABS)以及電子加速踏板等。這些進(jìn)步背后，磁傳感器的需求量悄然增長。磁傳感器主要用于測量汽車的車速、輪速、曲軸位置、凸輪軸位置等重要參數(shù)，它們在ABS和電動(dòng)車電機(jī)控制等關(guān)鍵系統(tǒng)中扮演著不可缺少的角色。全球磁傳感器市場目前正處

  傳感器 汽車電子 測量 磁傳感器

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• 發(fā)布了文章 2024-04-19 13:55

  封裝技術(shù)會成為摩爾定律的未來嗎?

  

  你可聽說過摩爾定律?在半導(dǎo)體這一領(lǐng)域，摩爾定律幾乎成了預(yù)測未來的神話。這條定律，最早是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾于1965年提出，簡單地說就是這樣的：集成電路上可容納的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番，性能也隨之增強(qiáng)。這不僅是一條觀察法則，更像是一道命令，催促著整個(gè)行業(yè)向著更小、更快、更便宜的方向發(fā)展。01但這些年來，摩爾定律好像遇到了壁壘。我們的芯片已經(jīng)小得難

  封裝技術(shù) 晶體管 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-04-18 11:50

  阿斯麥(ASML)公司首臺高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)突破性成果

  

  在半導(dǎo)體領(lǐng)域，技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向前發(fā)展的重要?jiǎng)恿?。近日，荷蘭阿斯麥(ASML)公司宣布，成功打造了首臺采用0.55數(shù)值孔徑(NA)投影光學(xué)系統(tǒng)的高數(shù)值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻機(jī)，并已經(jīng)成功印刷出首批圖案。這一重要成就，不僅標(biāo)志著ASML公司技術(shù)創(chuàng)新的新高度，也為全球半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展帶來了新的契機(jī)。目前，全球僅有兩臺高數(shù)值孔徑EUV

  EUV 光刻機(jī) 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2024-04-18 11:49

  GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

  

  氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢，因?yàn)槠錈o反向恢復(fù)損失且電容相對較小。隨著這項(xiàng)技術(shù)在更廣泛的應(yīng)用范圍內(nèi)推廣，詳細(xì)理解提高產(chǎn)量和可靠性的根本原因至關(guān)重要。本文中，我們總結(jié)了在GaN晶圓加工過程中常見的一些缺陷，以及用于檢測這些缺陷的表征技術(shù)。01氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)

  GaN HEMT 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2024-04-17 13:47

  新能源汽車蓬勃發(fā)展，IGBT供應(yīng)緊張下的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能擴(kuò)張

  

  IGBT作為電機(jī)和電控系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，對新能源汽車的性能有著直接影響，尤其在功率逆變器模塊中扮演關(guān)鍵角色。據(jù)統(tǒng)計(jì)，IGBT模塊約占新能源汽車總成本的5%，此外還廣泛應(yīng)用于車載空調(diào)控制系統(tǒng)等。

  IGBT 新能源汽車 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-04-17 13:46

  全新碳化硅MOSFET封裝技術(shù)提升電力模塊性能

  

  說到減少碳化硅MOSFET開關(guān)損耗，完全有可能，但讓電力模塊在運(yùn)行時(shí)保持高開關(guān)速度，那可不是一件輕松的事。

  封裝 電力 碳化硅MOSFET

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• 發(fā)布了文章 2024-04-16 13:42

  國內(nèi)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場迎來高速增長

  

  電動(dòng)汽車和新能源的需求蓬勃增長正在推動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場的擴(kuò)張。中國的碳化硅外延片生產(chǎn)商，在瀚天天成和天域半導(dǎo)體十多年的積累后，乘著新能源的東風(fēng)，在全球市場中迅速崛起。

  功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-04-16 13:35

  碳化硅制備的重要性與難點(diǎn)和挑戰(zhàn)

  

  這種耐高溫、承受高電壓、導(dǎo)熱性能好到驚人的材料，讓它在半導(dǎo)體、航空航天、電力電子等多個(gè)領(lǐng)域成為了革命性的材質(zhì)選擇。換句話說，沒有碳化硅，許多現(xiàn)代技術(shù)根本無法實(shí)現(xiàn)。

  SiC 電力系統(tǒng) 電動(dòng)汽車 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-04-15 15:49

  英飛凌推出新一代OptiMOS™ MOSFET技術(shù)封裝

  

  全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù)，專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對熱效率和空間利用有嚴(yán)苛要求的場合設(shè)計(jì)。

  MOSFET 封裝 英飛凌

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