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• 發(fā)布了文章 2025-11-24 17:23

  選型手冊(cè)：MOT1111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT1111T是一款面向100V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大連續(xù)電流及超級(jí)溝槽技術(shù)，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-24 17:04

  選型手冊(cè)：MOT6556T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6556T是一款面向60V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借0.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大連續(xù)電流及超級(jí)溝槽技術(shù)，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無(wú)人機(jī)等大功率場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適

  MOSFET 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-24 14:45

  選型手冊(cè)：MOT20N50A N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓，適用于高效開(kāi)關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{D

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-24 14:33

  選型手冊(cè)：MOT20N65HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT20N65HF是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高開(kāi)關(guān)速度、100%雪崩測(cè)試驗(yàn)證及650V耐壓，適用于高效開(kāi)關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-24 14:27

  選型手冊(cè)：MOT1165G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高頻開(kāi)關(guān)特性及高可靠性，適用于高頻開(kāi)關(guān)、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:57

  選型手冊(cè)：MOT6522J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6522J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電流供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}

  MOS 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:46

  選型手冊(cè)：MOT3136D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借2.4mΩ超低導(dǎo)通電阻、120A超大連續(xù)電流及優(yōu)異散熱封裝，適用于功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用、硬開(kāi)關(guān)高頻電路、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓超大電流供電場(chǎng)景；導(dǎo)

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:38

  選型手冊(cè)：MOT2176D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT2176D是一款面向20V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓大電流供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:31

  選型手冊(cè)：MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負(fù)電壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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• 發(fā)布了文章 2025-11-21 10:24

  選型手冊(cè)：MOT6929G N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6929G是一款N+N增強(qiáng)型MOSFET，集成兩顆N溝道單元，憑借60V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于電動(dòng)工具電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車機(jī)器人等大功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N+N增強(qiáng)型MOSFET（集成兩顆N溝道單元）核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配中低壓大電流供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(

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