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• 發(fā)布了文章 2025-11-14 15:51

  選型手冊：MOT2514J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT2514J是一款面向20V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高密度單元設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的超低導(dǎo)通電阻，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、筆記本核心電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-14 12:03

  選型手冊：MOT5130T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、211A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無人機(jī)等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-13 09:35

  選型手冊：MBR30200W 肖特基勢壘整流二極管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MBR30200W是一款30A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管，憑借200V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性，適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：肖特基勢壘整流二極管核心參數(shù)：峰值反向耐壓（\(V_{RRM}\)）：200V（典型值），最小測試值210V；平均整流輸出電流（\(I_o\)）：30A（總電

  MOS 仁懋電子 整流二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-13 09:30

  選型手冊：MBR40100W 肖特基勢壘整流二極管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MBR40100W是一款40A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管，憑借100V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性，適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：肖特基勢壘整流二極管核心參數(shù)：峰值反向耐壓（\(V_{RRM}\)）：100V（典型值），最小測試值108V；平均整流輸出電流（\(I_o\)）：40A（總電

  MOS 仁懋電子 整流二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-12 14:19

  選型手冊：MOT12N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-12 14:15

  選型手冊：MOT10N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT10N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(

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• 發(fā)布了文章 2025-11-12 14:10

  選型手冊：MOT4511AF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4511AF是一款面向450V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：450V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{D

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-12 09:48

  選型手冊：MOT30150F（MBR30150F）肖特基勢壘整流二極管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT30150F（MBR30150F）是一款30A規(guī)格的肖特基勢壘整流二極管，憑借150V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性，適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：肖特基勢壘整流二極管核心參數(shù)：峰值反向耐壓（\(V_{RRM}\)）：150V（典型值），最小測試值160V；平均整流輸出電流（\(I_

  MOS 二極管 仁懋電子

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• 發(fā)布了文章 2025-11-12 09:34

  選型手冊：MOT7N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、100%雪崩測試驗(yàn)證及700V耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-11 09:34

  選型手冊：MOT6511J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于電機(jī)驅(qū)動（電動工具、電動汽車機(jī)器人）等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電流供電場景；導(dǎo)通電阻（

  MOS MOSFET 仁懋電子

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